㈠ 手機處理器製作工藝中的FinFET和FCCSP分別是什麼有什麼區別
FinFET一般指鰭式場效應晶體管，樓主問的不是這個而是這種晶體管帶來的革新化工藝製程特性。
FinFET閘長已可小於25nm，未來預期可以進一步縮小至7nm，約是人類頭發寬度的1萬分之1。由於在這種導體技術上的突破，未來晶元設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。
FinFET源自於傳統標準的晶體管—場效晶體管的一項創新設計。在傳統晶體管結構中，控制電流通過的閘門，只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開，屬於平面的架構。在FinFET的架構中，閘門成類似魚鰭的叉狀3D架構，可於電路的兩側控制電路的接通與斷開。這種設計可以大幅改善電路控制並減少漏電流，也可以大幅縮短晶體管的閘長。一句話概括FinFET把封裝工藝變成了三維的而不是二維的。這是一個巨大的變革。
所有大型晶圓代工廠都已宣布FinFET技術為其最先進的工藝。Intel在22 nm節點上採用該晶體管1，TSMC在其16 nm工藝上使用2，而Samsung和GlobalFoundries則將其用於14 nm工藝中。
因為專業討論將涉及大篇幅 這里不再展開 需要了解的可以單聊。
FCCSP封裝工藝指flip chip chip scale packaged 指代的倒裝晶元封裝到BGA或者PGA基板上，最早出現在Intel 奔三的CPU封裝，優點：封裝簡單、封裝與晶片尺寸相當、成本低、便攜、晶元倒裝焊減少傳統引線的寄生電容，有利於提高頻率、改善熱特性。缺點：晶元裸露、還需要進行二次封裝、二次布線設計復雜。用在手機晶元上比較貼切 缺點就不明顯了
您說的這兩種工藝是封裝工藝的兩種發展走向 前者從晶體管基本構成結構入手 後者只是晶圓的封裝基礎工藝。本身沒有高下，性能根據華為宣稱是一樣的 無差別。
實際使用下來710、710F除了功耗略低性能近似等於驍龍660晶元。
㈡ 台積電16nm的finfet和ff+誰更省電
三星使用的14nm工藝，有著成熟的蘋果A系處理器代工經驗；而台積電使用的則是16nm，而且是第一次，理論上三星的版本會更有優勢，但是實測結果，卻恰恰相反。。
連續跑Geekbench測試當中，三星逐漸發熱嚴重，越到後面成績起伏越大，分值從最開始的稍稍勝出變成漸漸不如台積電，並且多次明顯成績下滑。溫度比台積電要高5度左右達到40度。而台積電，成績穩定，基本無起伏，溫度也不到36度。
使用安兔兔，三星繼續高熱，台積電繼續涼爽。溫度差距在5度左右。中間三星出現一次閃退，每次都是台積電先跑完測試並且在分值上勝出。
</ol>
測試對象；
使用台積電16nm處理器的iPhone 6s Plus雖然屏幕更大，但只消耗了314毫安的電量。
2.使用三星14nm處理器的iPhone 6s，居然反而比iPhone 6s Plus多耗電70毫安，達到384毫安。
㈢ 什麼是製程
在描述手機晶元性能的時候，消費者常聽到的就是 22nm、14nm、10nm 這些數值，這是什麼？
這是晶元市場上，一款晶元製程工藝的具體數值是手機性能關鍵的指標。製程工藝的每一次提升，帶來的都是性能的增強和功耗的降低，而每一款旗艦手機的發布，常常與晶元性能的突破離不開關系。
驍龍 835 用上了更先進的 10nm 製程， 在集成了超過 30 億個晶體管的情況下，體積比驍龍 820 還要小了 35%，整體功耗降低了 40%，性能卻大漲 27%。
深入來說，這幾十納米怎麼計算出來的？我們從晶元的組成單位晶體管說起。
得益於摩爾定律的預測，走到今天，比拇指還小的晶元里集成了上億個晶體管。蘋果 A10 Fusion 晶元上，用的是台積電 16nm 的製造工藝，集成了大約 33 億個晶體管。電流從 Source（源極）流入 Drain（漏級），Gate（柵極）相當於閘門，主要負責控制兩端源極和漏級的通斷。電流會損耗，而柵極的寬度則決定了電流通過時的損耗，表現出來就是手機常見的發熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。而柵極的最小寬度（柵長），就是 XX nm工藝中的數值。
對於晶元製造商而言，主要就要不斷升級技術，力求柵極寬度越窄越好。不過當寬度逼近 20nm 時，柵極對電流控制能力急劇下降，會出現「電流泄露」問題。為了在 CPU 上集成更多的晶體管，二氧化硅絕緣層會變得更薄，容易導致電流泄漏。
一方面，電流泄露將直接增加晶元的功耗，為晶體管帶來額外的發熱量；另一方面，電流泄露導致電路錯誤，信號模糊。為了解決信號模糊問題，晶元又不得不提高核心電壓，功耗增加，陷入死循環。
因而，漏電率如果不能降低，CPU 整體性能和功耗控制將十分不理想。這段時間台積電產能跟不上很大原因就是用上更高製程時遭遇了漏電問題。
還有一個難題，同樣是目前 10nm 工藝晶元在量產遇到的。
當晶體管的尺寸縮小到一定程度（業內認為小於 10nm）時會產生量子效應，這時晶體管的特性將很難控制，晶元的生產難度就會成倍增長。驍龍 835 出貨時間推遲，X30 遙遙無期主要原因可能是要攻克良品率的難關。
另外，驍龍 835 用上了 10nm 的製程工藝，設計製造成本相比 14nm 工藝增加接近 5 成。大廠需要持續而巨大的資金投入到 10nm 晶元量產的必經之路。
就目前階段，三星已經嘗試向當前的工藝路線圖中添加 8nm 和 6nm 工藝技術，台積電方面則繼續提供 16nm FinFET 技術的晶元，開始著力 10nm 工藝的同時，預計今年能夠樣產 7nm 工藝製程的晶元。
㈣ 在場效應管中fin是什麼意思
FinFET稱為鰭式場效應晶體管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET),是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。Fin是魚鰭的意思，FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性。
㈤ FinFET製程工藝，相當於英特爾的多少納米
目前技術來看，越小越好，英特爾第三代酷睿系列和至強系列則是22納米，最小
㈥ 手機CPU工藝16nm FinFET Plus 和14nm LPP哪個好
台積電的16nmFF+製程更好一些。
關於製程直接看數字並不準確，因為這個數字本身不精確，樓主有興趣可以搜索一下三星14nm的來歷就知道水分了。
就實際產品來說，台積電16納米FF+好於三星14納米LPP，可以對比蘋果A9處理器兩家代工的版本的不同表現，台積電版本明顯性能更高、待機時間更長、發熱更低，後期蘋果處理器A10、A11全部選擇了在台積電代工，及NVIDIA 帕斯卡架構顯卡三星代工版本，可超頻頻率明顯不如台積電代工版本。
一般來說台積電同代製程的代工價格比三星高10-20%，這也是需要技術實力作為基礎的，如果一個產品不行還賣的貴，會有人選擇么。
附，半導體代工廠排名，台積電市佔率55.9%，三星市佔率為7.7%。
㈦ finfet 如何解決短溝道效應
1.覆蓋一層非晶表面層(阻擋層)2.將晶圓偏離主晶向5°~10°3.以大劑量硅或鍺注入，對晶圓表面預損傷可在晶圓表面產生一個隨機層。
㈧ 海思和麒麟有啥區別求告知
海思和麒麟是同一類cpu，正確的描述是海思麒麟處理器。
A72、GPU這些實際上是並不是華為自主研發的，算不得創新。那麼自主研發的ISP引擎可是一大亮點。其吞吐率性能提升四倍，高達960Mixel/s，支持雙1300萬像素感測器和最大3200萬像素感測器，混合對焦技術。
㈨ 多少年了，終於明白了FinFET與FD-SOI製程
有的時候一直認為弄不懂的事情，
有一天，就可能會豁然開朗。
所以這件事提醒我們，
做任何事情都不要過度糾結，
過度糾結不是解決問題的辦法，
眼界放開，也可能真的會看到另一片天地。