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封裝形式

發布時間: 2021-10-16 19:12:42

A. 封裝技術的常見的封裝形式

常用元件及封裝形式
元件名稱
封裝形式
電阻
RES2(1、3、4)
AXIAL0.3
AXIAL0.4
可變電阻
POT2(1)
VR5(1、2、3、4)
普通電容
CAP
RAD0.2
RAD0.3
電解電容
ELECTRO1
RB.2/.4
RB.3/.6
RB.4/.8
CAPACITOR
RAD0.2
RAD0.3
二極體
DIODE
DIODE0.4(AXIAL0.3)
穩壓二極
ZENER1(2、3)
DIODE0.4(AXIAL0.3)
發光二極體LED
DIODE0.4
三極體
NPN(PNP)
TO-92A(單面板)TO-92B(雙面板)
電感
INDUCTOR1
AXIAL0.3
可變電感
INDUCTOR4
AXIAL0.3
放大器
OPAMP
DIP8,14,16…
晶振
CRYSTAL
XTAL1
穩壓塊
VOLTREG
TO-220H
介面
CON2,3,4
SIP2,3,4…
按鈕
SW-PB
DIP4
電源
POWER4
開關
SW
SPST
AXIAL0.4
SW
SPDT
SW
DPDT
接收二極體PHOTO
三腳插座
LAMP
NEON

B. 集成電路的封裝形式有哪些

常用集成電路的封裝形式

DIP

Dual Inline Package

雙列直插式封裝

FBGA

Fine-Pitch
Ball Grid Array

細密球型網數組

FTO220

LQFP

微型四方扁平封裝

PCDIP

PQFP

Plastic
Quad Flat Package

塑料四方扁平封裝

PSDIP

QFP

Quad Flat Package

SDIP

雙列直插封裝

SO

Small Outline Package

SOP EIAJ TYPE II 14L

Small
Outline Package

小型外框封裝

SOT220

small
outline transistor

小外形晶體管

TO220

TSOP

Thin Small Outline Package

薄型小尺寸封裝

TSSOP or TSOP II

Thin Shrink Outline Package

引腳超薄緊縮小型封裝

PLCC

Plastic
Leaded Chip Carrier

塑料引線晶元載體

C. 如何選擇封裝形式

對於通用的標准集成電路產品,其封裝類型和形式已由製造商在手冊中說明。但對於ASIC來說,封裝形式的選擇則是ASIC設計中的一個重要組成部分,而且應該在集成電路早期的指標性能設計階段就加以考慮。如果在封裝的選擇上發生錯誤同樣會導致整個設計的重新修改。
在選擇封裝時需要考慮的問題是:
1.管腳數當然所選擇的封裝式其總管腳數應等於或大於集成電路晶元所需要的引出入端數 (包括輸人,輸出,控制端、電源端、地線端等的總數)。有時設計者只考慮總管腳數已與所需引出入端數相等是不夠的,還必須號慮信號、電源、地埠在管殼上所處的方位,因為一個集成電路塊總是要放在印刷電路板上並與其他集成電路塊相連接,各個埠的位置將直接影響印刷電路板的布局布線。
2.腔體的尺寸
一定要有足夠的腔體大小保證裸晶元能夠安裝進去。一個集成電路設計者必須充分了解每種封裝對晶元尺寸的限制,這種限制包括長度和寬度兩個方面。也就是說,如果對某一已完成的晶元沒計,發現長度方向有足夠的空間,但寬度方向卻不夠,這時需要改變設計或者改選另一種封裝。
3.引腳節距的尺寸
除了管腳數、腔體尺寸外還要選擇引腳節距的尺寸。因為同樣一個24條腳的DIP封裝,其節距有2.54 mm和1.77 mm兩種,不同的節距會使總的封裝尺寸不同。因此,集成電路設計者應畫出封裝的外形尺寸圖作為提供給用戶的完整性能手冊的一部分。
4.封裝高度
有些封裝有普通型、薄型和超薄型之分。當然只有在特殊需要即厚度空間受到限制時才選擇較薄的封裝形式,因為這會帶來成本的提高。
5.安裝類型的選擇
選擇通孔插入式還是表面安裝式是首先要決定的問題,因為兩種安裝技術很不相同,當然表面安裝式會節約印刷電路板的面積,但在技術上也帶來一些新的問題。引腳的平面一致性不夠時會使有的引腳不同時接觸到焊接表面因而造成虛焊等問題。如果採用有底座方式,則應考慮底座的代價和它的尺寸大小和高度。
6.散熱性能和條件
在了解封裝供應商給出的熱阻值後,應計算出晶元可能達到的最高溫度,計算時應先確定最壞的外界環境溫度。對於密封或敞開、有無通風等不同情況,外界環境溫度會有明顯的差別。同時還要考慮周圍是否有耗散熱量大的器件如大電流輸出晶體管、電壓調整器等,如有,則局部區域的溫度會顯著高於平均的環境溫度。如果考慮採用散熱片幫助散熱,則應考慮散熱片的重量、高度以及如何固定在印刷電路板上使散熱最為有效等問題。

D. IC封裝形式分類

CDIP-----Ceramic Dual In-Line Package
CLCC-----Ceramic Leaded Chip Carrier
CQFP-----Ceramic Quad Flat Pack
DIP-----Dual In-Line Package
LQFP-----Low-Profile Quad Flat Pack
MAPBGA------Mold Array Process Ball Grid Array
PBGA-----Plastic Ball Grid Array
PLCC-----Plastic Leaded Chip Carrier
PQFP-----Plastic Quad Flat Pack
QFP-----Quad Flat Pack
SDIP-----Shrink Dual In-Line Package
SOIC-----Small Outline Integrated Package
SSOP-----Shrink Small Outline Package
DIP-----Dual In-Line Package-----雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標准邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。
PLCC-----Plastic Leaded Chip Carrier-----PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
PQFP-----Plastic Quad Flat Package-----PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小,管腳很細,一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式,其引腳數一般都在100以上。
SOP-----Small Outline Package------1968~1969年菲為浦公司就開發出小外形封裝(SOP)。以後逐漸派生出SOJ(J型引腳小外形封裝)、TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)及SOT(小外形晶體管)、SOIC(小外形集成電路)等。
常見的封裝材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金屬等,現在基本採用塑料封裝。

按封裝形式分:普通雙列直插式,普通單列直插式,小型雙列扁平,小型四列扁平,圓形金屬,體積較大的厚膜電路等。

按封裝體積大小排列分:最大為厚膜電路,其次分別為雙列直插式,單列直插式,金屬封裝、雙列扁平、四列扁平為最小。

兩引腳之間的間距分:普通標准型塑料封裝,雙列、單列直插式一般多為2.54±0.25 mm,其次有2mm(多見於單列直插式)、1.778±0.25mm(多見於縮型雙列直插式)、1.5±0.25mm,或1.27±0.25mm(多見於單列附散熱片或單列V型)、1.27±0.25mm(多見於雙列扁平封裝)、1±0.15mm(多見於雙列或四列扁平封裝)、0.8±0.05~0.15mm(多見於四列扁平封裝)、0.65±0.03mm(多見於四列扁平封裝)。

雙列直插式兩列引腳之間的寬度分:一般有7.4~7.62mm、10.16mm、12.7mm、15.24mm等數種。

雙列扁平封裝兩列之間的寬度分(包括引線長度:一般有6~6.5±mm、7.6mm、10.5~10.65mm等。

四列扁平封裝40引腳以上的長×寬一般有:10×10mm(不計引線長度)、13.6×13.6±0.4mm(包括引線長度)、20.6×20.6±0.4mm(包括引線長度)、8.45×8.45±0.5mm(不計引線長度)、14×14±0.15mm(不計引線長度)等。

E. IC 的封裝有幾種形式

  1. SIP :Single-In-Line Package

  2. DIP :Dual In-line Package 雙列直插式封裝

  3. CDIP:Ceramic Dual-In-line Package 陶瓷雙列直插式封裝

  4. PDIP:Plastic Dual-In-line Package 塑料雙列直插式封裝

  5. QFP :Quad Flat Package 四方扁平封裝

  6. TQFP :Thin Quad Flat Package 薄型四方扁平封裝

  7. PQFP :Plastic Quad Flat Package 塑料方型扁平封裝

  8. MQFP :Metric Quad Flat Package

  9. VQFP :Very Thin Quad Flat Package

  10. SOP :Small Outline Package 小外型封裝

  11. SSOP :Shrink Small-Outline Package 縮小外型封裝

  12. TSOP :Thin Small-Outline Package 薄型小尺寸封裝

  13. TSSOP :Thin Shrink Small-Outline Package

  14. QSOP :Quarter Small-Outline Package

  15. VSOP :Very Small Outline Package

  16. TVSOP :Very Thin Small-Outline Package

  17. LCC :Leadless Ceramic Chip Carrier 無引線晶元承載封裝

  18. LCCC :Leadless Ceramic Chip Carrier

  19. PLCC :Plastic Leaded Chip Carrier 塑料式引線晶元承載封裝

  20. BGA :Ball Grid Array 球柵陣列

F. 什麼是封裝形式

你說的時cpu的封裝嗎?供你參考!

集成電路晶元的封裝形式

自從美國Intel公司1971年設計製造出4位微處a理器晶元以來,在20多年時間內,CPU從Intel4004、80286、80386、80486發展到Pentium和PentiumⅡ,數位從4位、8位、16位、32位發展到64位;主頻從幾兆到今天的400MHz以上,接近GHz;CPU晶元里集成的晶體管數由2000個躍升到500萬個以上;半導體製造技術的規模由SSI、MSI、LSI、VLSI達到 ULSI。封裝的輸入/輸出(I/O)引腳從幾十根,逐漸增加到幾百根,下世紀初可能達2千根。這一切真是一個翻天覆地的變化。
對於CPU,讀者已經很熟悉了,286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如數家珍似地列出一長串。但談到CPU和其他大規模集成電路的封裝,知道的人未必很多。所謂封裝是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼,它不僅起著安放、固定、密封、保護晶元和增強電熱性能的作用,而且還是溝通晶元內部世界與外部電路的橋梁——晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印製板上的導線與其他器件建立連接。因此,封裝對CPU和其他LSI集成電路都起著重要的作用。新一代CPU的出現常常伴隨著新的封裝形式的使用。
晶元的封裝技術已經歷了好幾代的變遷,從DIP、QFP、PGA、BGA到CSP再到MCM,技術指標一代比一代先進,包括晶元面積與封裝面積之比越來越接近於1,適用頻率越來越高,耐溫性能越來越好,引腳數增多,引腳間距減小,重量減小,可靠性提高,使用更加方便等等。
下面將對具體的封裝形式作詳細說明。

一、DIP封裝
70年代流行的是雙列直插封裝,簡稱DIP(Dual In-line Package)。DIP封裝結構具有以下特點:
1.適合PCB的穿孔安裝;
2.比TO型封裝(圖1)易於對PCB布線;
3.操作方便。
DIP封裝結構形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP,單層陶瓷雙列直插式DIP,引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式,塑料包封結構式,陶瓷低熔玻璃封裝式),如圖2所示。
衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比,這個比值越接近1越好。以採用40根I/O引腳塑料包封雙列直插式封裝(PDIP)的CPU為例,其晶元面積/封裝面積=3×3/15.24×50=1:86,離1相差很遠。不難看出,這種封裝尺寸遠比晶元大,說明封裝效率很低,佔去了很多有效安裝面積。
Intel公司這期間的CPU如8086、80286都採用PDIP封裝。

二、晶元載體封裝
80年代出現了晶元載體封裝,其中有陶瓷無引線晶元載體LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引線晶元載體PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封裝SOP(Small Outline Package)、塑料四邊引出扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package),封裝結構形式如圖3、圖4和圖5所示。
以0.5mm焊區中心距,208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例,外形尺寸28×28mm,晶元尺寸10×10mm,則晶元面積/封裝面積=10×10/28×28=1:7.8,由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。QFP的特點是:
1.適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線;
2.封裝外形尺寸小,寄生參數減小,適合高頻應用;
3.操作方便;
4.可靠性高。
在這期間,Intel公司的CPU,如Intel 80386就採用塑料四邊引出扁平封裝PQFP。

三、BGA封裝
90年代隨著集成技術的進步、設備的改進和深亞微米技術的使用,LSI、VLSI、ULSI相繼出現,硅單晶元集成度不斷提高,對集成電路封裝要求更加嚴格,I/O引腳數急劇增加,功耗也隨之增大。為滿足發展的需要,在原有封裝品種基礎上,又增添了新的品種——球柵陣列封裝,簡稱BGA(Ball Grid Array Package)。如圖6所示。
BGA一出現便成為CPU、南北橋等VLSI晶元的高密度、高性能、多功能及高I/O引腳封裝的最佳選擇。其特點有:
1.I/O引腳數雖然增多,但引腳間距遠大於QFP,從而提高了組裝成品率;
2.雖然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷晶元法焊接,簡稱C4焊接,從而可以改善它的電熱性能:
3.厚度比QFP減少1/2以上,重量減輕3/4以上;
4.寄生參數減小,信號傳輸延遲小,使用頻率大大提高;
5.組裝可用共面焊接,可靠性高;
6.BGA封裝仍與QFP、PGA一樣,佔用基板面積過大;
Intel公司對這種集成度很高(單晶元里達300萬只以上晶體管),功耗很大的CPU晶元,如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ採用陶瓷針柵陣列封裝CPGA和陶瓷球柵陣列封裝CBGA,並在外殼上安裝微型排風扇散熱,從而達到電路的穩定可靠工作。

四、面向未來的新的封裝技術
BGA封裝比QFP先進,更比PGA好,但它的晶元面積/封裝面積的比值仍很低。
Tessera公司在BGA基礎上做了改進,研製出另一種稱為μBGA的封裝技術,按0.5mm焊區中心距,晶元面積/封裝面積的比為1:4,比BGA前進了一大步。
1994年9月日本三菱電氣研究出一種晶元面積/封裝面積=1:1.1的封裝結構,其封裝外形尺寸只比裸晶元大一點點。也就是說,單個IC晶元有多大,封裝尺寸就有多大,從而誕生了一種新的封裝形式,命名為晶元尺寸封裝,簡稱CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封裝具有以下特點:
1.滿足了LSI晶元引出腳不斷增加的需要;
2.解決了IC裸晶元不能進行交流參數測試和老化篩選的問題;
3.封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10,延遲時間縮小到極短。
曾有人想,當單晶元一時還達不到多種晶元的集成度時,能否將高集成度、高性能、高可靠的CSP晶元(用LSI或IC)和專用集成電路晶元(ASIC)在高密度多層互聯基板上用表面安裝技術(SMT)組裝成為多種多樣電子組件、子系統或系統。由這種想法產生出多晶元組件MCM(Multi Chip Model)。它將對現代化的計算機、自動化、通訊業等領域產生重大影響。MCM的特點有:
1.封裝延遲時間縮小,易於實現組件高速化;
2.縮小整機/組件封裝尺寸和重量,一般體積減小1/4,重量減輕1/3;
3.可靠性大大提高。
隨著LSI設計技術和工藝的進步及深亞微米技術和微細化縮小晶元尺寸等技術的使用,人們產生了將多個LSI晶元組裝在一個精密多層布線的外殼內形成MCM產品的想法。進一步又產生另一種想法:把多種晶元的電路集成在一個大圓片上,從而又導致了封裝由單個小晶元級轉向硅圓片級(wafer level)封裝的變革,由此引出系統級晶元SOC(System On Chip)和電腦級晶元PCOC(PC On Chip)。
隨著CPU和其他ULSI電路的進步,集成電路的封裝形式也將有相應的發展,而封裝形式的進步又將反過來促成晶元技術向前發展。

晶元封裝形式

封裝形式:
封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用,而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接。衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比,這個比值越接近1越好。
封裝大致經過了如下發展進程:
結構方面:TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;
材料方面:金屬、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料;
引腳形狀:長引線直插->短引線或無引線貼裝->球狀凸點;
裝配方式:通孔插裝->表面組裝->直接安裝。

DIP--Double In-line Package--雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標准邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。

PLCC--Plastic Leaded Chip Carrier--PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小、可靠性高的優點。

PQFP--Plastic Quad Flat Package--PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小,管腳很細,一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式,其引腳數一般都在100以上。

SOP--Small Outline Package--1968~1969年菲為浦公司就開發出小外形封裝(SOP)。以後逐漸派生出SOJ(J型引腳小外形封裝)、TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)及SOT(小外形晶體管)、SOIC(小外形集成電路)等。

G. 封裝形式的具體介紹

70年代流行的是雙列直插封裝,簡稱DIP(Dual In-line Package)。DIP封裝結構具有以下特點:
1.適合PCB的穿孔安裝;
2.比TO型封裝(圖1)易於對PCB布線;
3.操作方便。
DIP封裝結構形式有:多層陶瓷雙列直插式DIP,單層陶瓷雙列直插式DIP,引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式,塑料包封結構式,陶瓷低熔玻璃封裝式),如圖2所示。
衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比,這個比值越接近1越好。以採用40根I/O引腳塑料包封雙列直插式封裝(PDIP)的CPU為例,其晶元面積/封裝面積=3×3/15.24×50=1:86,離1相差很遠。不難看出,這種封裝尺寸遠比晶元大,說明封裝效率很低,佔去了很多有效安裝面積。
Intel公司這期間的CPU如8086、80286都採用PDIP封裝。 80年代出現了晶元載體封裝,其中有陶瓷無引線晶元載體LCCC(Leadless Ceramic Chip Carrier)、塑料有引線晶元載體PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)、小尺寸封裝SOP(Small Outline Package)、塑料四邊引出扁平封裝PQFP(Plastic Quad Flat Package),封裝結構形式如圖3、圖4和圖5所示。
以0.5mm焊區中心距,208根I/O引腳的QFP封裝的CPU為例,外形尺寸28×28mm,晶元尺寸10×10mm,則晶元面積/封裝面積=10×10/28×28=1:7.8,由此可見QFP比DIP的封裝尺寸大大減小。QFP的特點是:
1.適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線;
2.封裝外形尺寸小,寄生參數減小,適合高頻應用;
3.操作方便;
4.可靠性高。
在這期間,Intel公司的CPU,如Intel 80386就採用塑料四邊引出扁平封裝PQFP。 90年代隨著集成技術的進步、設備的改進和深亞微米技術的使用,LSI、VLSI、ULSI相繼出現,硅單晶元集成度不斷提高,對集成電路封裝要求更加嚴格,I/O引腳數急劇增加,功耗也隨之增大。為滿足發展的需要,在原有封裝品種基礎上,又增添了新的品種——球柵陣列封裝,簡稱BGA(Ball Grid Array Package)。
BGA一出現便成為CPU、南北橋等VLSI晶元的高密度、高性能、多功能及高I/O引腳封裝的最佳選擇。其特點有:
1.I/O引腳數雖然增多,但引腳間距遠大於QFP,從而提高了組裝成品率;
2.雖然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷晶元法焊接,簡稱C4焊接,從而可以改善它的電熱性能:
3.厚度比QFP減少1/2以上,重量減輕3/4以上;
4.寄生參數減小,信號傳輸延遲小,使用頻率大大提高;
5.組裝可用共面焊接,可靠性高;
6.BGA封裝仍與QFP、PGA一樣,佔用基板面積過大;
Intel公司對這種集成度很高(單晶元里達300萬只以上晶體管),功耗很大的CPU晶元,如Pentium、Pentium Pro、Pentium Ⅱ採用陶瓷針柵陣列封裝CPGA和陶瓷球柵陣列封裝CBGA,並在外殼上安裝微型排風扇散熱,從而達到電路的穩定可靠工作。 BGA封裝比QFP先進,更比PGA好,但它的晶元面積/封裝面積的比值仍很低。
Tessera公司在BGA基礎上做了改進,研製出另一種稱為μBGA的封裝技術,按0.5mm焊區中心距,晶元面積/封裝面積的比為1:4,比BGA前進了一大步。
1994年9月日本三菱電氣研究出一種晶元面積/封裝面積=1:1.1的封裝結構,其封裝外形尺寸只比裸晶元大一點點。也就是說,單個IC晶元有多大,封裝尺寸就有多大,從而誕生了一種新的封裝形式,命名為晶元尺寸封裝,簡稱CSP(Chip Size Package或Chip Scale Package)。CSP封裝具有以下特點:
1.滿足了LSI晶元引出腳不斷增加的需要;
2.解決了IC裸晶元不能進行交流參數測試和老化篩選的問題;
3.封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10,延遲時間縮小到極短。
曾有人想,當單晶元一時還達不到多種晶元的集成度時,能否將高集成度、高性能、高可靠的CSP晶元(用LSI或IC)和專用集成電路晶元(ASIC)在高密度多層互聯基板上用表面安裝技術(SMT)組裝成為多種多樣電子組件、子系統或系統。由這種想法產生出多晶元組件MCM(Multi Chip Model)。它將對現代化的計算機、自動化、通訊業等領域產生重大影響。MCM的特點有:
1.封裝延遲時間縮小,易於實現組件高速化;
2.縮小整機/組件封裝尺寸和重量,一般體積減小1/4,重量減輕1/3;
3.可靠性大大提高。
隨著LSI設計技術和工藝的進步及深亞微米技術和微細化縮小晶元尺寸等技術的使用,人們產生了將多個LSI晶元組裝在一個精密多層布線的外殼內形成MCM產品的想法。進一步又產生另一種想法:把多種晶元的電路集成在一個大圓片上,從而又導致了封裝由單個小晶元級轉向硅圓片級(wafer level)封裝的變革,由此引出系統級晶元SOC(System On Chip)和電腦級晶元PCOC(PC On Chip)。
隨著CPU和其他ULSI電路的進步,集成電路的封裝形式也將有相應的發展,而封裝形式的進步又將反過來促成晶元技術向前發展。
封裝形式是指安裝半導體集成電路晶元用的外殼。它不僅起著安裝、固定、密封、保護晶元及增強電熱性能等方面的作用,而且還通過晶元上的接點用導線連接到封裝外殼的引腳上,這些引腳又通過印刷電路板上的導線與其他器件相連接。衡量一個晶元封裝技術先進與否的重要指標是晶元面積與封裝面積之比,這個比值越接近1越好。 結構方面: TO->DIP->LCC->QFP->BGA ->CSP;
材料方面:
金屬、陶瓷->陶瓷、塑料->塑料;
引腳形狀:
長引線直插->短引線或無引線貼裝->球狀凸點;
裝配方式:
通孔插裝->表面組裝->直接安裝。
DIP--Double In-line Package--雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應用范圍包括標准邏輯IC,存貯器LSI,微機電路等。
PLCC--Plastic Leaded Chip Carrier--PLCC封裝方式,外形呈正方形,32腳封裝,四周都有管腳,外形尺寸比DIP封裝小得多。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線,具有外形尺寸小、可靠性高的優點。
PQFP--Plastic Quad Flat Package--PQFP封裝的晶元引腳之間距離很小,管腳很細,一般大規模或超大規模集成電路採用這種封裝形式,其引腳數一般都在100以上。
SOP--Small Outline Package--1968~1969年菲為浦公司就開發出小外形封裝(SOP)。以後逐漸派生出SOJ(J型引腳小外形封裝)、TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)及SOT(小外形晶體管)、SOIC(小外形集成電路)等。

H. 常見元件及其封裝形式

受不了,你早做功課呀,而且也沒有具體說,面試嗎?嘿嘿
封裝有兩大類;一類是通孔插入式封裝(through-hole package);另—類為表面安裝式封裝(surface mounted package)。每一類中又有多種形式。表l和表2是它們的圖例,英文縮寫、英文全稱和中文譯名。圖6示出了封裝技術在小尺寸和多引腳數這兩個方向發展的情況。
DIP是20世紀70年代出現的封裝形式。它能適應當時多數集成電路工作頻率的要求,製造成本較低,較易實現封裝自動化印測試自動化,因而在相當一段時間內在集成電路封裝中佔有主導地位。

但DIP的引腳節距較大(為2.54mm),並佔用PCB板較多的空間,為此出現了SHDIP和SKDIP等改進形式,它們在減小引腳節距和縮小體積方面作了不少改進,但DIP最大引腳數難以提高(最大引腳數為64條)且採用通孔插入方式,因而使它的應用受到很大限制。
為突破引腳數的限制,20世紀80年代開發了PGA封裝,雖然它的引腳節距仍維持在2.54mm或1.77mm,但由於採用底面引出方式,因而引腳數可高達500條~600條。

隨著表面安裝技術 (surface mounted technology, SMT)的出現,DIP封裝的數量逐漸下降,表面安裝技術可節省空間,提高性能,且可放置在印刷電路板的上下兩面上。 SOP應運而生,它的引腳從兩邊引出,且為扁平封裝,引腳可直接焊接在PCB板上,也不再需要插座。它的引腳節距也從DIP的2.54 mm減小到1.77mm。後來有SSOP和TSOP改進型的出現,但引腳數仍受到限制。

QFP也是扁平封裝,但它們的引腳是從四邊引出,且為水平直線,其電感較小,可工作在較高頻率。引腳節距進一步降低到1.00mm,以至0.65 mm和0.5 mm,引腳數可達500條,因而這種封裝形式受到廣泛歡迎。但在管腳數要求不高的情況下,SOP以及它的變形SOJ(J型引腳)仍是優先選用的封裝形式,也是目前生產最多的一種封裝形式。
方形扁平封裝-QFP (Quad Flat Package)
[特點] 引腳間距較小及細,常用於大規模或超大規模集成電路封裝。必須採用SMT(表面安裝技術)進行焊接。操作方便,可靠性高。晶元面積與封裝面積的比值較大。
小型外框封裝-SOP (Small Outline Package)
[特點] 適用於SMT安裝布線,寄生參數減小,高頻應用,可靠性較高。引腳離晶元較遠,成品率增加且成本較低。 晶元面積與封裝面積比值約為1:8
小尺寸J型引腳封裝-SOJ (Smal Outline J-lead)
有引線晶元載體-LCC (Leaded Chip Carrier)

據1998年統計,DIP在封裝總量中所佔份額為15%,SOP在封裝總量中所佔57%, QFP則佔12%。預計今後DIP的份額會進一步下降,SOP也會有所下降,而QFP會維持原有份額,三者的總和仍占總封裝量的80%。
以上三種封裝形式又有塑料包封和陶瓷包封之分。塑料包封是在引線鍵合後用環氧樹脂鑄塑而成,環氧樹脂的耐濕性好,成本也低,所以在上述封裝中佔有主導地位。陶瓷封裝具有氣密性高的特點,但成本較高,在對散熱性能、電特性有較高要求時,或者用於國防軍事需求時,常採用陶瓷包封。

PLCC是一種塑料有引腳(實際為J形引腳)的片式載體封裝(也稱四邊扁平J形引腳封裝QFJ (quad flat J-lead package)),所以採用片式載體是因為有時在系統中需要更換集成電路,因而先將晶元封裝在一種載體(carrier)內,然後將載體插入插座內,載體和插座通過硬接觸而導通的。這樣在需要時,只要在插座上取下載體就可方便地更換另一載體。
LCC稱陶瓷無引腳式載體封裝(實際有引腳但不伸出。它是鑲嵌在陶瓷管殼的四側通過接觸而導通)。有時也稱為CLCC,但通常不加C。在陶瓷封裝的情況下。如對載體結構和引腳形狀稍加改變,載體的引腳就可直接與PCB板進行焊接而不再需要插座。這種封裝稱為LDCC即陶瓷有引腳片式載體封裝。

TAB封裝技術是先在銅箔上塗覆一層聚醯亞胺層。然後用刻蝕方法將銅箔腐蝕出所需的引腳框架;再在聚醯亞胺層和銅層上製作出小孔,將金屬填入銅圖形的小孔內,製作出凸點(採用銅、金或鎳等材料)。由這些凸點與晶元上的壓焊塊連接起來,再由鑄塑技術加以包封。它的優點是由於不存在內引線高度問題.因而封裝厚度很薄,此外可獲得很小的引腳節距(如0.5mm,0.25 mm)而有1000個以上的引腳等,但它的成本較高,因而其應用受到限制。

I. 單片機常見的封裝形式有哪些

單片機常見的封裝形式有:DIP(雙列直插式封裝)、PLCC(特殊引腳晶元封裝,要求對應插座)、QFP(四側引腳扁平封裝)、SOP(雙列小外形貼片封裝)等。

做實驗時一般選用DIP封裝的,如果選用其他封裝,用編程器編程時還要配專用的適配器。如果對系統的體積有要求,如遙控器中用的單片機,往往選用QFP和SOP封裝的。