⑴ 有些手機的攝像鏡頭為什麼什麼叫CMOS鏡頭那CCD鏡頭又是什麼
有鑒於許多網友詢問 CCD 與 CMOS 的主要差別。我們暫時撇開復雜的技術文字，透過簡單的比較來看這兩種不同類型，作用相同的影像感光元件。
不管，CCD 或 CMOS，基本上兩者都是利用矽感光二極體（photodiode）進行光與電的轉換。這種轉換的原理與各位手上具備「太陽電能」電子計算機的「太陽能電池」效應相近，光線越強、電力越強；反之，光線越弱、電力也越弱的道理，將光影像轉換為電子數字信號。
比較 CCD 和 CMOS 的結構，ADC的位置和數量是最大的不同。簡單的說，按我們在上一講「CCD 感光元件的工作原理（上）」中所提之內容。CCD每曝光一次，在快門關閉後進行像素轉移處理，將每一行中每一個像素（pixel）的電荷信號依序傳入「緩沖器」中，由底端的線路引導輸出至 CCD 旁的放大器進行放大，再串聯 ADC 輸出；相對地，CMOS 的設計中每個像素旁就直接連著 ADC（放大兼類比數字信號轉換器），訊號直接放大並轉換成數字信號。
兩者優缺點的比較
CCD CMOS
設計 單一感光器 感光器連接放大器
靈敏度 同樣面積下高 感光開口小，靈敏度低
成本 線路品質影響程度高，成本高 CMOS整合集成，成本低
解析度 連接復雜度低，解析度高 低，新技術高
噪點比 單一放大，噪點低 百萬放大，噪點高
功耗比 需外加電壓，功耗高 直接放大，功耗低
由於構造上的基本差異，我們可以表列出兩者在性能上的表現之不同。CCD的特色在於充分保持信號在傳輸時不失真（專屬通道設計），透過每一個像素集合至單一放大器上再做統一處理，可以保持資料的完整性；CMOS的製程較簡單，沒有專屬通道的設計，因此必須先行放大再整合各個像素的資料。
整體來說，CCD 與 CMOS 兩種設計的應用，反應在成像效果上，形成包括 ISO 感光度、製造成本、解析度、噪點與耗電量等，不同類型的差異：
ISO 感光度差異：由於 CMOS 每個像素包含了放大器與A/D轉換電路，過多的額外設備壓縮單一像素的感光區域的表面積，因此 相同像素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會低於CCD。
成本差異：CMOS 應用半導體工業常用的 MOS製程，可以一次整合全部周邊設施於單晶片中，節省加工晶片所需負擔的成本 和良率的損失；相對地 CCD 採用電荷傳遞的方式輸出資訊，必須另闢傳輸通道，如果通道中有一個像素故障（Fail），就會導致一整排的 訊號壅塞，無法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，加上另闢傳輸通道和外加 ADC 等周邊，CCD的製造成本相對高於CMOS。
解析度差異：在第一點「感光度差異」中，由於 CMOS 每個像素的結構比 CCD 復雜，其感光開口不及CCD大， 相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時，CCD感光器的解析度通常會優於CMOS。不過，如果跳脫尺寸限制，目前業界的CMOS 感光原件已經可達到1400萬 像素 / 全片幅的設計，CMOS 技術在量率上的優勢可以克服大尺寸感光原件製造上的困難，特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。
噪點差異：由於CMOS每個感光二極體旁都搭配一個 ADC 放大器，如果以百萬像素計，那麼就需要百萬個以上的 ADC 放大器，雖然是統一製造下的產品，但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達到放大同步的效果，對比單一個放大器的CCD，CMOS最終計算出的噪點就比較多。
耗電量差異：CMOS的影像電荷驅動方式為主動式，感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出；但CCD卻為被動式， 必須外加電壓讓每個像素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特（V）以上的水平，因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度，高驅動電壓使 CCD 的電量遠高於CMOS。
盡管 CCD 在影像品質等各方面均優於CMOS，但不可否認的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。 由於數碼影像的需求熱烈，CMOS的低成本和穩定供貨，成為廠商的最愛，也因此其製造技術不斷地改良更新，使得 CCD 與 CMOS 兩者的差異逐漸縮小 。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進目標，以期進入照相手機的行動通訊市場；CMOS系列，則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統合，藉由後續的影像處理修正噪點以及畫質表現， 特別是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功，足見高速影像處理晶片已經可以勝任高像素 CMOS 所產生的影像處理時間與能力的縮短；另外，大尺寸全片幅則以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c 這一系列的數碼機身為號召，CMOS未來跨足高階的影像市場產品，前景可期。
⑵ 矽感FS533-U驅動那位大神發一個吧
你這個應該是掃描儀吧，
掃描儀的話試試驅動人生有沒有現成的驅動或可替代的驅動，
沒有的話就只能找官方人員要一下了，
⑶ CCD什麼意思
什麼是CCD？
CCD，是英文Charge Coupled Device 即電荷耦合器件的縮寫，它是一種特殊半導體器件，上面有很多一樣的感光元件，每個感光元件叫一個像素。CCD在攝像機里是一個極其重要的部件，它起到將光線轉換成電信號的作用，類似於人的眼睛，因此其性能的好壞將直接影響到攝像機的性能。
衡量CCD好壞的指標很多，有像素數量，CCD尺寸，靈敏度，信噪比等，其中像素數以及CCD尺寸是重要的指標。像素數是指CCD上感光元件的數量。攝像機拍攝的畫面可以理解為由很多個小的點組成，每個點就是一個像素。顯然，像素數越多，畫面就會越清晰，如果CCD沒有足夠的像素的話，拍攝出來的畫面的清晰度就會大受影響，因此，理論上CCD的像素數量應該越多越好。但CCD像素數的增加會使製造成本以及成品率下降，而且在現行電視標准下，像素數增加到某一數量後，再增加對拍攝畫面清晰度的提高效果變得不明顯，因此，一般一百萬左右的像素數對一般的使用已經足夠了。
單CCD和3CCD有何區別？
單CCD攝像機是指攝像機里只有一片CCD並用其進行亮度信號以及彩色信號的光電轉換，其中色度信號是用CCD上的一些特定的彩色遮罩裝置並結合後面的電路完成的。由於一片CCD同時完成亮度信號和色度信號的轉換，因此難免兩全，使得拍攝出來的圖像在彩色還原上達不到專業水平很的要求。為了解決這個問題，便出現了3CCD攝像機。為了更進一步的說明，我來補充幾點
有鑒於許多網友詢問 CCD 與 CMOS 的主要差別。我們暫時撇開復雜的技術文字，透過簡單的比較來看這兩種不同類型，作用相同的影像感光元件。
不管，CCD 或
CMOS，基本上兩者都是利用矽感光二極體（photodiode）進行光與電的轉換。這種轉換的原理與各位手上具備「太陽電能」電子計算機的「太陽能電池」效應相近，光線越強、電力越強；反之，光線越弱、電力也越弱的道理，將光影像轉換為電子數字信號。
比較 CCD 和 CMOS 的結構，ADC的位置和數量是最大的不同。簡單的說，按我們在上一講「CCD
感光元件的工作原理（上）」中所提之內容。CCD每曝光一次，在快門關閉後進行像素轉移處理，將每一行中每一個像素（pixel）的電荷信號依序傳入「緩沖器」中，由底端的線路引導輸出至
CCD 旁的放大器進行放大，再串聯 ADC 輸出；相對地，CMOS 的設計中每個像素旁就直接連著
ADC（放大兼類比數字信號轉換器），訊號直接放大並轉換成數字信號。
兩者優缺點的比較
CCD CMOS
設計 單一感光器 感光器連接放大器
靈敏度 同樣面積下高 感光開口小，靈敏度低
成本 線路品質影響程度高，成本高 CMOS整合集成，成本低
解析度 連接復雜度低，解析度高 低，新技術高
噪點比 單一放大，噪點低 百萬放大，噪點高
功耗比 需外加電壓，功耗高 直接放大，功耗低
由於構造上的基本差異，我們可以表列出兩者在性能上的表現之不同。CCD的特色在於充分保持信號在傳輸時不失真（專屬通道設計），透過每一個像素集合至單一放大器上再做統一處理，可以保持資料的完整性；CMOS的製程較簡單，沒有專屬通道的設計，因此必須先行放大再整合各個像素的資料。
整體來說，CCD 與 CMOS 兩種設計的應用，反應在成像效果上，形成包括 ISO
感光度、製造成本、解析度、噪點與耗電量等，不同類型的差異：
ISO 感光度差異：由於 CMOS 每個像素包含了放大器與A/D轉換電路，過多的額外設備壓縮單一像素的感光區域的表面積，因此
相同像素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會低於CCD。
成本差異：CMOS 應用半導體工業常用的 MOS製程，可以一次整合全部周邊設施於單晶片中，節省加工晶片所需負擔的成本 和良率的損失；相對地
CCD 採用電荷傳遞的方式輸出資訊，必須另闢傳輸通道，如果通道中有一個像素故障（Fail），就會導致一整排的
訊號壅塞，無法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，加上另闢傳輸通道和外加 ADC 等周邊，CCD的製造成本相對高於CMOS。
解析度差異：在第一點「感光度差異」中，由於 CMOS 每個像素的結構比 CCD 復雜，其感光開口不及CCD大，
相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時，CCD感光器的解析度通常會優於CMOS。不過，如果跳脫尺寸限制，目前業界的CMOS
感光原件已經可達到1400萬 像素 / 全片幅的設計，CMOS 技術在量率上的優勢可以克服大尺寸感光原件製造上的困難，特別是全片幅
24mm-by-36mm 這樣的大小。
噪點差異：由於CMOS每個感光二極體旁都搭配一個 ADC 放大器，如果以百萬像素計，那麼就需要百萬個以上的 ADC
放大器，雖然是統一製造下的產品，但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達到放大同步的效果，對比單一個放大器的CCD，CMOS最終計算出的噪點就比較多。
耗電量差異：CMOS的影像電荷驅動方式為主動式，感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出；但CCD卻為被動式，
必須外加電壓讓每個像素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特（V）以上的水平，因此 CCD
還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度，高驅動電壓使 CCD 的電量遠高於CMOS。
盡管 CCD 在影像品質等各方面均優於CMOS，但不可否認的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。
由於數碼影像的需求熱烈，CMOS的低成本和穩定供貨，成為廠商的最愛，也因此其製造技術不斷地改良更新，使得 CCD 與 CMOS
兩者的差異逐漸縮小
。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進目標，以期進入照相手機的行動通訊市場；CMOS系列，則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統合，藉由後續的影像處理修正噪點以及畫質表現，
特別是 Canon 系列的 EOS D30 、EOS 300D 的成功，足見高速影像處理晶片已經可以勝任高像素 CMOS
所產生的影像處理時間與能力的縮短；另外，大尺寸全片幅則以 Kodak DCS Pro14n、DCS Pro/n、DCS Pro/c
⑷ 感測器分為哪兩大類他們有何特點有何區別請各類分別舉出2中感測器。
分CMOS和CCD兩類
不管CCD 或 CMOS，基本上兩者都是利用矽感光二極體（photodiode）進行光與電的轉換。這種轉換的原理與各位手上具備「太陽電能」電子計算機的「太陽能電池」效應相近，光線越強、電力越強；反之，光線越弱、電力也越弱的道理，將光影像轉換為電子數字信號。
比較 CCD 和 CMOS 的結構，ADC的位置和數量是最大的不同。簡單的說，按我們在上一講「CCD 感光元件的工作原理（上）」中所提之內容。CCD每曝光一次，在快門關閉後進行像素轉移處理，將每一行中每一個像素（pixel）的電荷信號依序傳入「緩沖器」中，由底端的線路引導輸出至 CCD 旁的放大器進行放大，再串聯 ADC 輸出；相對地，CMOS 的設計中每個像素旁就直接連著 ADC（放大兼類比數字信號轉換器），訊號直接放大並轉換成數字信號。
⑸ 武漢矽感薪資構成
基本，績效，補助，年終獎，有5險 沒有公積金
⑹ CCDDR是什麼 CR和DR的區別 CCD和CMOS的區別 請用通俗語言詳細解答
CCDDR 徹徹底底人 CR 成人 CCD和CMOS都是利用矽感光二極體（photodiode）進行光與電的轉換器。 CCD CMOS 設計 單一感光器 感光器連接放大器 靈敏度 同樣面積下高 感光開口小，靈敏度低 成本 線路品質影響程度高，成本高 CMOS整合集成，成本低 解析度 連接復雜度低，解析度高 低，新技術高 噪點比 單一放大，噪點低 百萬放大，噪點高 功耗比 需外加電壓，功耗高 直接放大，功耗低
⑺ 手機攝像頭感測器解析：CCD，CMOS哪個更好
有鑒於許多網友詢問 CCD 與 CMOS 的主要差別。我們暫時撇開復雜的技術文字，透過簡單的比較來看這兩種不同類型，作用相同的影像感光元件。 不管，CCD 或 CMOS，基本上兩者都是利用矽感光二極體（photodiode）進行光與電的轉換。這種轉換的原理與各位手上具備「太陽電能」電子計算機的「太陽能電池」效應相近，光線越強、電力越強；反之，光線越弱、電力也越弱的道理，將光影像轉換為電子數字信號。 比較 CCD 和 CMOS 的結構，ADC的位置和數量是最大的不同。簡單的說，按我們在上一講「CCD 感光元件的工作原理（上）」中所提之內容。CCD每曝光一次，在快門關閉後進行像素轉移處理，將每一行中每一個像素（pixel）的電荷信號依序傳入「緩沖器」中，由底端的線路引導輸出至 CCD 旁的放大器進行放大，再串聯 ADC 輸出；相對地，CMOS 的設計中每個像素旁就直接連著 ADC（放大兼類比數字信號轉換器），訊號直接放大並轉換成數字信號。 兩者優缺點的比較 CCD CMOS 設計 單一感光器 感光器連接放大器 靈敏度 同樣面積下高 感光開口小，靈敏度低 成本 線路品質影響程度高，成本高 CMOS整合集成，成本低 解析度 連接復雜度低，解析度高 低，新技術高 噪點比 單一放大，噪點低 百萬放大，噪點高 功耗比 需外加電壓，功耗高 直接放大，功耗低 由於構造上的基本差異，我們可以表列出兩者在性能上的表現之不同。CCD的特色在於充分保持信號在傳輸時不失真（專屬通道設計），透過每一個像素集合至單一放大器上再做統一處理，可以保持資料的完整性；CMOS的製程較簡單，沒有專屬通道的設計，因此必須先行放大再整合各個像素的資料。 整體來說，CCD 與 CMOS 兩種設計的應用，反應在成像效果上，形成包括 ISO 感光度、製造成本、解析度、噪點與耗電量等，不同類型的差異： ISO 感光度差異：由於 CMOS 每個像素包含了放大器與A/D轉換電路，過多的額外設備壓縮單一像素的感光區域的表面積，因此 相同像素下，同樣大小之感光器尺寸，CMOS的感光度會低於CCD。 成本差異：CMOS 應用半導體工業常用的 MOS製程，可以一次整合全部周邊設施於單晶片中，節省加工晶片所需負擔的成本 和良率的損失；相對地 CCD 採用電荷傳遞的方式輸出資訊，必須另闢傳輸通道，如果通道中有一個像素故障（Fail），就會導致一整排的 訊號壅塞，無法傳遞，因此CCD的良率比CMOS低，加上另闢傳輸通道和外加 ADC 等周邊，CCD的製造成本相對高於CMOS。 解析度差異：在第一點「感光度差異」中，由於 CMOS 每個像素的結構比 CCD 復雜，其感光開口不及CCD大， 相對比較相同尺寸的CCD與CMOS感光器時，CCD感光器的解析度通常會優於CMOS。不過，如果跳脫尺寸限制，目前業界的CMOS 感光原件已經可達到1400萬 像素 / 全片幅的設計，CMOS 技術在量率上的優勢可以克服大尺寸感光原件製造上的困難，特別是全片幅 24mm-by-36mm 這樣的大小。 噪點差異：由於CMOS每個感光二極體旁都搭配一個 ADC 放大器，如果以百萬像素計，那麼就需要百萬個以上的 ADC 放大器，雖然是統一製造下的產品，但是每個放大器或多或少都有些微的差異存在，很難達到放大同步的效果，對比單一個放大器的CCD，CMOS最終計算出的噪點就比較多。 耗電量差異：CMOS的影像電荷驅動方式為主動式，感光二極體所產生的電荷會直接由旁邊的電晶體做放大輸出；但CCD卻為被動式， 必須外加電壓讓每個像素中的電荷移動至傳輸通道。而這外加電壓通常需要12伏特（V）以上的水平，因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設計和耐壓強度，高驅動電壓使 CCD 的電量遠高於CMOS。 盡管 CCD 在影像品質等各方面均優於CMOS，但不可否認的CMOS具有低成本、低耗電以及高整合度的特性。 由於數碼影像的需求熱烈，CMOS的低成本和穩定供貨，成為廠商的最愛，也因此其製造技術不斷地改良更新，使得 CCD 與 CMOS 兩者的差異逐漸縮小 。新一代的CCD朝向耗電量減少作為改進目標，以期進入照相手機的行動通訊市場；CMOS系列，則開始朝向大尺寸面積與高速影像處理晶片統合，藉由後續的影像處理修正噪點以及畫質表現。 =============================== 以上為轉載 補充：CMOS當然有APS-C,比如佳能450D、40D等等都是APS-C尺寸的CMOS
⑻ 什麼是高感光攝像頭
一般應用高檔數碼設備中，都是光學成像
成像方面：在相同像素下高感光攝像頭的成像通透性、明銳度都很好，色彩還原、曝光可以保證基本准確
是利用矽感光二極體（photodiode）進行光與電的轉換。，光線越強、電力越強；反之，光線越弱、電力也越弱的道理，將光影像轉換為電子數字信號。
⑼ 武漢矽感科技有限公司怎麼樣
簡介：武漢矽感科技是中國安全二維碼的研發及技術服務提供商，擁有自主知識產權中國安全二維碼的技術和標准。公司成立10年來，一直從事中國安全二維碼技術、產品及信息服務的研發與應用，擁有中國、美國、日本、韓國和中國台灣地區的十多項二維碼發明專利。
法定代表人：張鳴
成立時間：2005-12-21
注冊資本：10000萬人民幣
工商注冊號：420112000025655
企業類型：有限責任公司(自然人投資或控股)
公司地址：武漢市東西湖區五環大道31號