⑴ 什么是PowerGEM
赛普拉斯半导体公司的子公司AgigA技术公司推出一个无需电池的智能供电子系统，用于电力中断时防止重要数据丢失。PowerGEM(绿色能源模块)供电子系统采用超大电容，在系统供电中断时提供临时能量。PowerGEM模块可以使设计者避免出现由电池供电产生的问题，诸如环境影响、设计复杂性提高、维护和相应的条件、使用寿命短、整体拥有成本较高等等。PowerGEM与AGIGARAM存储模块配套使用，可以为重要任务的数据备份提供一套完整的安全可靠的非易失性存储子系统。
⑵ ISBU是什么意思
安森美半导体(ON Semiconctor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)已完成向赛普拉斯半导体以全现金交易收购CMOS图像传感器业务部(ISBU)
⑶ 让国内如此疯狂的 3D NAND闪存到底是个啥
什么是3D NAND闪存？
从新闻到评测，我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了，首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。
从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
3D NAND与2D NAND区别
3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈，这只是其中的一种，还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。
3D NAND闪存有什么优势？
在回答3D NAND闪存有什么优势的时候，我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND闪存跟处理器不一样，先进工艺虽然带来了更大的容量，但NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，为了提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了，比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。
3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势
传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路，主流工艺是15/16nm，但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了，而3D NAND闪存还会继续走下去，目前的堆栈层数不过32-48层，厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。
四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色
在主要的NAND厂商中，三星最早量产了3D NAND，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间，Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD，不过主要是面向企业级市场的。
这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样，而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存，它跟目前的3D闪存有很大不同，属于杀手锏级产品，值得关注。
四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色
上述3D NAND闪存中，由于厂商不一定公布很多技术细节，特别是很少提及具体的制程工艺，除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场，代表性产品也不足。
三星：最早量产的V-NAND闪存
三星是NAND闪存市场最强大的厂商，在3D NAND闪存上也是一路领先，他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。在3D NAND路线上，三星也研究过多种方案，最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存，目前已经发展了三代V-NAND技术，堆栈层数从之前的24层提高到了48层，TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
三星最早量产了3D NAND闪存
值得一提的是，三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势，他们首先选择了CTF电荷撷取闪存（charge trap flash，简称CTF）路线，相比传统的FG（Floating Gate，浮栅极）技术难度要小一些，这多少也帮助三星占了时间优势。
有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章：NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解
东芝/闪迪：独辟蹊径的BiCS技术
东芝是闪存技术的发明人，虽然现在的份额和产能被三星超越，不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大，很早就投入3D NAND研发了，2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了，2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的，但制造工艺复杂，要求很高，而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling，强调的就是随NAND规模而降低成本，号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低，也意味着成本更低。
东芝的BiCS技术3D NAND
东芝和闪迪是战略合作伙伴，双方在NAND领域是共享技术的，他们的BiCS闪存去年开始量产，目前的堆栈层数是48层，MLC类型的核心容量128Gb，TLC类型的容量可达256Gb，预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产，2016年可以大量出货了。
SK Hynix：闷声发财的3D NAND
在这几家NAND厂商中，SK Hynix的3D NAND最为低调，相关报道很少，以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND闪存资料，不过从官网公布的信息来看，SK Hynix的3D NAND闪存已经发展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的则是第三代3D NAND闪存，只不过前面三代产品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移动市场，今年推出的第四代3D NAND闪存则会针对UFS 2.1、SATA及PCI-E产品市场。
SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步，不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存，MLC类型的容量128Gb，TLC类型的也可以做到256Gb容量。
Intel/美光：容量最高的3D NAND闪存
这几家厂商中，Intel、美光的3D NAND闪存来的最晚，去年才算正式亮相，不过好菜不怕晚，虽然进度上落后了点，但IMFT的3D NAND有很多独特之处，首先是他们的3D NAND第一款采用FG浮栅极技术量产的，所以在成本及容量上更有优势，其MLC类型闪存核心容量就有256Gb，而TLC闪存则可以做到384Gb，是目前TLC类型3D NAND闪存中容量最大的。
美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的
384Gb容量还不终点，今年的ISSCC大会上美光还公布了容量高达768Gb的3D NAND闪存论文，虽然短时间可能不会量产，但已经给人带来了希望。
Intel的杀手锏：3D XPoint闪存
IMFT在3D NAND闪存上进展缓慢已经引起了Intel的不满，虽然双方表面上还很和谐，但不论是16nm闪存还是3D闪存，Intel跟美光似乎都有分歧，最明显的例子就是Intel都开始采纳友商的闪存供应了，最近发布的540s系列硬盘就用了SK Hynix的16nm TLC闪存，没有用IMFT的。
Intel、美光不合的证据还有最明显的例子——那就是Intel甩开美光在中国大连投资55亿升级晶圆厂，准备量产新一代闪存，很可能就是3D XPoint闪存，这可是Intel的杀手锏。
3D XPoint闪存是Intel掌控未来NAND市场的杀手锏
这个3D XPoint闪存我们之前也报道过很多了，根据Intel官方说法，3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存，性能是普通显存的1000倍，可靠性也是普通闪存的1000倍，容量密度是内存的10倍，而且是非易失性的，断电也不会损失数据。
由于还没有上市，而且Intel对3D XPoint闪存口风很严，所以我们无法确定3D XPpoint闪存背后到底是什么，不过比较靠谱的说法是基于PCM相变存储技术，Intel本来就是做存储技术起家的，虽然现在的主业是处理器，但存储技术从来没放松，在PCM相变技术上也研究了20多年了，现在率先取得突破也不是没可能。
相比目前的3D NAND闪存，3D XPoint闪存有可能革掉NAND及DRAM内存的命，因为它同时具备这两方面的优势，所以除了做各种规格的SSD硬盘之外，Intel还准备推出DIMM插槽的3D XPoint硬盘，现在还不能取代DDR内存，但未来一切皆有可能。
最后再回到我们开头提到的问题上——中国大陆现在也把存储芯片作为重点来抓，武汉新芯科技（XMC）已经在武汉开工建设12英寸晶圆厂，第一个目标就是NAND闪存，而且是直接切入3D NAND闪存，他们的3D NAND技术来源于飞索半导体（Spansion），而后者又是1993年AMD和富士通把双方的NOR闪存部门合并而来，后来他们又被赛普拉斯半导体以40亿美元的价格收购。
2015年新芯科技与飞索半导体达成了合作协议，双方合作研发、生产3D NAND闪存，主要以后者的MirrorBit闪存技术为基础。不过小编搜遍了网络也没找到多少有关MirrorBit的技术资料。这两家公司的闪存技术多是NOR领域的，3D NAND显然是比不过三星、SK Hynix及东芝等公司的，有一种说法是MirrorBit的堆栈层数只有8层，如果真是这样，相比主流的32-48层堆栈就差很远了，成本上不会有什么优势。
⑷ 赛普拉斯半导体技术(上海)有限公司成都分公司怎么样
赛普拉斯半导体技术(上海)有限公司成都分公司是2016-05-27注册成立的分公司(外商投资企业)，注册地址位于四川省中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府三街288号1号楼14层1、2、3、10、11号。
赛普拉斯半导体技术(上海)有限公司成都分公司的统一社会信用代码/注册号是91510100MA61UYPN2J，企业法人邱祎捷，目前企业处于开业状态。
赛普拉斯半导体技术(上海)有限公司成都分公司的经营范围是：集成电路和半导体产品的设计、研究、开发；自行研发成果的技术转让；并提供相关产品的咨询、技术服务和贸易咨询。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）。
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⑸ 为什么说新能源汽车的核心是IGBT
IGBT约占电机驱动系统成本的一半，而电机驱动系统占整车成本的15-20%，也就是说IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，也决定了整车的能源效率。不仅电机驱动要用IGBT，新能源的发电机和空调部分一般也需要IGBT。 不仅是新能源车，直流充电桩和机车(高铁)的核心也是IGBT管，直流充电桩30%的原材料成本就是IGBT。电力机车一般需要 500 个IGBT 模块，动车组需要超过100个IGBT模块，一节地铁需要50-80个 IGBT 模块。三菱电机的HVIGBT已经成为业内默认的标准，中国的高速机车用IGBT由三菱完全垄断，同时欧洲的阿尔斯通、西门子、庞巴迪也是一半以上采用三菱电机的IGBT。
一个IGBT管芯称为模块的一个单元，也称为模块单元、模块的管芯。模块单元与IGBT管芯的区别在最终产品，模块单元没有独立的封装，而管芯都有独立的封装，成为一个IGBT管。近来还有一种叫IPM的模块，把门级驱动和保护电路也封装进IGBT模块内部，这是给那些最懒的工程师用的，不过工作频率自然不能太高咯。单管的价格要远低于模块，但是单管的可靠性远不及模块。全球除特斯拉和那些低速电动车外，全部都是使用模块，只有特斯拉对成本的重视程度远高于对人命的重视程度。特斯拉Model X使用132个IGBT管，由英飞凌提供，其中后电机为96个，前电机为36个，每个单管的价格大约4-5美元，合计大约650美元。如果改用模块的话，估计需要12-16个模块，成本大约1200-1600美元。特斯拉使用单管的原因主要是成本，尤其是其功率比一般的电动车要大不少，加上设计开发周期短，不得不采用单管设计。相比宝马I3，采用英飞凌新型HybridPACK 2模块设计，每个模块内含6个单管型IGBT，750V/660A，电流超大，只需要两个模块即可，体积大大缩小，成本大约300美元。
⑹ pmic是什么意思
PMIC（Power Management IC）又称电源管理IC，是一种特定用途的集成电路，其功能是为主系统作管理电源等工作。
PMIC常用于以电池作为电源的装置，例如移动电话或便携式媒体播放器。由于这类装置一般有多于一个电源(例如电池及USB电源)，系统又需要多个不同电压的电源，加上要控制电池的充放电，以传统方式满足这样的需求会占用不少空间，同时增加产品开发时间，因此造就了PMIC的出现。
功能
PMIC的主要功用为控制电量流量及流向以配合主系统需要。在多个电源(例如，外部真流电源、电池、USB电源等)，选取、分配电力给主系统各部分使用，例如提供多个不同电压的电源，并负责为内部电池充电。
通过将这些功能集成到一个IC中，可以对整体设计进行许多改进，例如更好的转换效率，更小的解决方案尺寸和更好的散热。
(6)赛普拉斯半导体股票行情扩展阅读：
集成电路制造商
三星半导体，理光电子设备，电源集成，意法半导体，英飞凌技术股份公司，英特尔，马维尔半导体，高通，联发科，IXYS，飞思卡尔半导体，Dialog Semiconctor，Silicon Mitus，Exar，国际整流器；
Intersil，赛普拉斯半导体，Maxim集成产品，线性技术，瑞萨电子，罗姆半导体，安森美半导体，德州仪器，特瑞仕半导体，和日本旭化成微器件是一些很多厂家的PMIC的。
⑺ 国际零部件企业2019年财报解读：危机并行，行业加速整合
经济萎靡、车市下行，这场寒冬依旧。受此波及，自进入2019年下半年开始，众多零部件企业不得不下调各自销售预期，纷纷寻找新的出路，一时间，业务转型、组织调整、关厂裁员、抱团取暖等措施屡见不鲜。近日，已有不少国际零部件企业公布了最新财报信息，盖世汽整理了其中部分企业的财报状况，来看一看这些企业在过去一整年中，都有哪些收获。
车市严寒，头部企业也难言轻松
图为：英飞凌财报截图
英飞凌方面，据其在2月5日所发布的最新季度财报中显示，2020财年第一季度（2019年10月-12月）收入同比下降2.7%，至19.16亿欧元（约合20.9亿美元），净收入为2.1亿欧元（约合2.3亿美元）。其中，由于全球汽车消费需求的下降，汽车（ATV）收入同比下降2%，至8.3亿欧元（约合9亿美元）。
在大环境增速疲软，两者无论是从半导体领域还是汽车芯片领域，其业绩表现均高于市场整体表现，而这也意味着行业正由自由竞争逐渐趋向寡头竞争，大部分的利润掌握在个别头部企业手中，行业将加速整合。
据盖世汽车了解，2019年，于半导体芯片领域而言最大的新闻莫过于英飞凌科技股份公司（以下简称：英飞凌）以每股23.85美元收购了赛普拉斯半导体公司，借此，英飞凌或超过恩智浦跃居全球汽车芯片领域第一位。
但值得注意的是，就在英飞凌并购赛普拉斯的前几日，恩智浦以1.76亿美元收购了Marvell的WiFi连接业务，并基于此推出了新产品和解决方案，据恩智浦首席执行官RichardClemmer介绍，“随着这类新产品的批量生产，我们预计将助力恩智浦实现长期增长”。
汽车芯片领域竞争日趋白热化，谁也无法预测此后恩智浦、英飞凌之间孰强孰弱，唯有不断进阶，不断扩展新业务、新领域，或才能在大环境日趋向下时赢得更广阔的未来。
盖世小结：日子难熬，在车市寒冬持续了十余月后，早已成为汽车圈上下的共识。且在各企业的财报预期中均表示，2020年甚至于未来3-5年内，全球汽车产量都可能难有起色，目前发生在中国的肺炎疫情，正快速波及全球汽车供应链，或进一步加速汽车行业的整合。可正所谓，危机并行，2020年的开局不利，或刺激更多企业求新求变，以加速推动企业转型，拓宽企业业务范围，从而在未来市场竞争中赢的更大席面。
本文来源于汽车之家车家号作者，不代表汽车之家的观点立场。