⑴ 请问紫外光刻机一般会应用于那些领域
紫外光刻机一般应用于LED、MEMS、IC领域。
⑵ 立体光刻为什么采用紫外激光器
紫外激光器波长短，光斑极限尺寸更小，线更细，容量更大，355nm，266nm，193nm,13nm的，波长短，价格翻翻
⑶ 极紫外光刻的介绍
极紫外线就是指需要通过通电激发紫外线管的K极然后放射出紫外线
⑷ 请问紫外光刻机是在什么条件操作
随着电子业的飞速发展,对作为电子元器件基础的印制板的需求量及其加工精度的要求越来越高。紫外线光刻机是印制板制造工艺中的重要设备。传统光刻机的玻璃-迈拉晒架在生产过程中需要人工赶气,迈拉膜需要经常更换。由于冷却系统过于臃肿,使得其生产成本高、效率低,已不能满足PC B 生产的需要。在实验基础上设计了双玻璃晒架光刻机，改进了其主要组成部分,包括晒架系统、光路系统、冷却系统以及电气和控制系统的整体设计。
在计算机的控制下，利用聚焦电子束对有机聚合物（通常称为电子抗蚀剂或光刻胶）进行曝光，受电子束辐照后的光刻胶，其物理化学性质发生变化，在一定的溶剂中形成良溶或非良溶区域，从而在抗蚀剂上形成精细图形。
⑸ ASML是唯一能制造极紫外光刻机的厂商，高端芯片制造到底有多难
近几年来，中国科技行业遭到国外的严重打压，尤其是电子芯片成为我国半导体领域最突出的短板，生产芯片最重要的设备是光刻机，世界上先进的光刻机主要由荷兰一家名为阿斯麦（ASML）的公司制造，市场占有率超过80%，而其中最先进的极紫外光刻机（EUV光刻），全世界只有ASML一家公司能制造。
ASML
ASML虽然是一家荷兰的公司，但是出口光刻机受到西方国家的严格控制，ASML的大股东包括美国因特尔、台湾积体电路制造（台积电）、韩国的三星、荷兰皇家飞利浦电子公司等等，其中因特尔占有股份大约为15%，台积电大约5%。
在这样的情况下，中国芯片产业的发展举步维艰，光刻机包含的关键技术太多，一时半会我们是绕不过去的；其实中国并不缺乏人才，只不过人才要用到什么领域，需要政策引导才行，想到中国天眼FAST在2018年的一次网上招聘，年薪10万难觅驻地科研人才，让人感慨不已。
⑹ 紫外线光源的简介
紫外线光源是紫外线技术的重要组成部分，紫外线技术的发展往往依赖于紫外线光源的发展。当出现了适用的新型紫外线光源时，必然可以促进某种行业的发展。例如光栅的制造。光栅是大型精密光学仪器的重要分光元件。世界上有许多国家不能制造精密仪器，与不能制造高分辨率色散率的光栅有关，要使光栅具备很高的分辨率，就必须要掌握高密度刻线技术（如每毫米几千条等距离平行线），要刻这么多的线数，就必须有高强度的短波紫外光源（200~300毫微米）对应的光刻胶进行曝光。同样在高频大功率固体器件和大规模集成电路上也与紫外曝光光刻技术的发展分不开。
目前在光学研究上取得了很大进展，这同紫外线光源的发展也是分不开的。紫外光源作为一个元器件，在各个领域正发挥着它的重要作用。
⑺ 本人光学工程专业（光学薄膜方向，极紫外光刻反射式光学系统光学元器件薄膜设计制备），
光学薄膜方向，极紫外光刻反射式光学系统光学元器件薄膜设计制备
这个你怎么谈,
⑻ 光刻机的紫外光源
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。
常见光源分为:
紫外光（UV），g线：436nm;i线：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
对光源系统的要求
a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。]
b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。
对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。
曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
⑼ 极紫外光刻的背景
英特尔高级研究员兼技术和制造部先进光刻技术总监Yan Borodovsky在去年说过“针对未来的IC设计，我认为正确的方向是具有互补性的光刻技术。193纳米光刻是目前能力最强且最成熟的技术，能够满足精确度和成本要求，但缺点是分辨率低。利用一种新技术作为193纳米光刻的补充，可能是在成本、性能以及精确度方面的最佳解决方案。补充技术可以是EUV或电子束光刻。”
在10年的SPIE先进光刻技术会议上，AMD公司的Bruno La Fontaine展示了IBM联盟开发的“台风”芯片，该芯片线宽为45 nm，完全现场测试，第一层金属采用极超紫外线（EUV）光刻技术实现。去年年中完成该项目后，IBM联盟——包括IBM、AMD、东芝和其它合作方——决定再上一个台阶。AMD技术团队的核心成员、IBM联盟EUV项目（纽约奥尔巴尼）经理Obert Wood介绍，“我们正在向32 nm技术进军，但技术进步如此迅速，要是在32 nm技术上耗费过多时间，我们可能永远无法实现16 nm技术，我认为16 nm技术节点将采用EUV光刻。”
显然，这两家公司的发展路线将会决定光刻技术的发展方向。
⑽ 浸入式光刻 纳米压印光刻 极紫外光刻 无掩膜光刻属于光学光刻吗
属于。，。。。。