当前位置:首页 » 股票资讯 » nand闪存
扩展阅读
国外公司的股票怎么查询 2022-08-20 04:58:22
钱坤投资股票代码 2022-08-20 04:58:18
新三板公司股票赠与税务 2022-08-20 04:58:17

nand闪存

发布时间: 2022-06-25 07:05:18

① 3D NAND闪存是什么

3D NAND颗粒,其实也就是2D NAND颗粒在制程上达到了瓶颈后,为了进一步提升单区块颗粒容量大小后的、在技术上实现的新颗粒类型。

如果将2D NAND比作是有着100平米容量的一层平房,那么3D NAND则是在理论上有着无数楼层的100平米容量的摩天大厦

② 为什么闪存被叫做NAND闪存

NAND闪存只是闪存的一种,NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据

③ 请问nand flash和nor flash有什么不同

1、写入/擦除操作的时间不同

【nand flash】:擦除NAND器件以8~32KB的块进行,执行同一写入/擦除的操作时间为4ms

【nor flash】:擦除NOR器件是以64~128KB的块进行,执行同一个写入/擦除操作的时间为5s

2、接口不同

【nand flash】:nand flash使用较为复杂的I/O口来串行地存取数据,并且各个产品或厂商的方法可能各不相同。

【nor flash】:nor flash为SRAM接口,拥有足够的地址引脚用于寻址。

3、容量成本不同

【nand flash】:NAND flash的单元尺寸大约为NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,因此价格较低。

【nor flash】:NOR flash单元尺寸较大,生产过程也较为复杂,因此价格较高。

4、耐用性不同

【nand flash】:NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次。

【nor flash】:NOR闪存中每个块的最大擦写次数是十万次。

④ 让国内如此疯狂的 3D NAND闪存到底是个啥

什么是3D NAND闪存?
从新闻到评测,我们对3D NAND闪存的报道已经非常多了,首先我们要搞懂什么是3D NAND闪存。

从2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦
我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。

3D NAND与2D NAND区别
3D NAND闪存也不再是简单的平面内存堆栈,这只是其中的一种,还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。
3D NAND闪存有什么优势?
在回答3D NAND闪存有什么优势的时候,我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分,为了进一步提高容量、降低成本,NAND的制程工艺也在不断进步,从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,但NAND闪存跟处理器不一样,先进工艺虽然带来了更大的容量,但NAND闪存的制程工艺是双刃剑,容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降,因为工艺越先进,NAND的氧化层越薄,可靠性也越差,厂商就需要采取额外的手段来弥补,但这又会提高成本,以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
相比之下,3D NAND解决问题的思路就不一样了,为了提高NAND的容量、降低成本,厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了,转而堆叠更多的层数就可以了,这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了,比如东芝的15nm NAND容量密度为1.28Gb/mm2,而三星32层堆栈的3D NAND可以轻松达到1.87Gb/mm2,48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。

3D NAND闪存在容量、速度、能效及可靠性上都有优势
传统的平面NAND闪存现在还谈不上末路,主流工艺是15/16nm,但10/9nm节点很可能是平面NAND最后的机会了,而3D NAND闪存还会继续走下去,目前的堆栈层数不过32-48层,厂商们还在研发64层甚至更高层数的堆栈技术。
四大NAND豪门的3D NAND闪存及特色
在主要的NAND厂商中,三星最早量产了3D NAND,其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少2年时间,Intel、美光去年才推出3D NAND闪存,Intel本月初才发布了首款3D NAND闪存的SSD,不过主要是面向企业级市场的。
这四大豪门的3D NAND闪存所用的技术不同,堆栈的层数也不一样,而Intel在常规3D NAND闪存之外还开发了新型的3D XPoint闪存,它跟目前的3D闪存有很大不同,属于杀手锏级产品,值得关注。

四大NAND豪门的3D NAND闪存规格及特色
上述3D NAND闪存中,由于厂商不一定公布很多技术细节,特别是很少提及具体的制程工艺,除了三星之外其他厂商的3D NAND闪存现在才开始推向市场,代表性产品也不足。
三星:最早量产的V-NAND闪存
三星是NAND闪存市场最强大的厂商,在3D NAND闪存上也是一路领先,他们最早在2013年就开始量产3D NAND闪存了。在3D NAND路线上,三星也研究过多种方案,最终量产的是VG垂直栅极结构的V-NAND闪存,目前已经发展了三代V-NAND技术,堆栈层数从之前的24层提高到了48层,TLC类型的3D NAND核心容量可达到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。

三星最早量产了3D NAND闪存
值得一提的是,三星在3D NAND闪存上领先不光是技术、资金的优势,他们首先选择了CTF电荷撷取闪存(charge trap flash,简称CTF)路线,相比传统的FG(Floating Gate,浮栅极)技术难度要小一些,这多少也帮助三星占了时间优势。
有关V-NAND闪存的详细技术介绍可以参考之前的文章:NAND新时代起点,三星V-NAND技术详解
东芝/闪迪:独辟蹊径的BiCS技术
东芝是闪存技术的发明人,虽然现在的份额和产能被三星超越,不过东芝在NAND及技术领域依然非常强大,很早就投入3D NAND研发了,2007年他们独辟蹊径推出了BiCS技术的3D NAND——之前我们也提到了,2D NAND闪存简单堆栈是可以作出3D NAND闪存的,但制造工艺复杂,要求很高,而东芝的BiCS闪存是Bit Cost Scaling,强调的就是随NAND规模而降低成本,号称在所有3D NAND闪存中BiCS技术的闪存核心面积最低,也意味着成本更低。

东芝的BiCS技术3D NAND
东芝和闪迪是战略合作伙伴,双方在NAND领域是共享技术的,他们的BiCS闪存去年开始量产,目前的堆栈层数是48层,MLC类型的核心容量128Gb,TLC类型的容量可达256Gb,预计会在日本四日市的Fab 2工厂规模量产,2016年可以大量出货了。
SK Hynix:闷声发财的3D NAND
在这几家NAND厂商中,SK Hynix的3D NAND最为低调,相关报道很少,以致于找不到多少SK Hynix的3D NAND闪存资料,不过从官网公布的信息来看,SK Hynix的3D NAND闪存已经发展了3代了,2014年Q4推出的第一代,2015年Q3季度推出的第二代,去年Q4推出的则是第三代3D NAND闪存,只不过前面三代产品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移动市场,今年推出的第四代3D NAND闪存则会针对UFS 2.1、SATA及PCI-E产品市场。

SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数从36层起步,不过真正量产的是48层堆栈的3D NAND闪存,MLC类型的容量128Gb,TLC类型的也可以做到256Gb容量。
Intel/美光:容量最高的3D NAND闪存
这几家厂商中,Intel、美光的3D NAND闪存来的最晚,去年才算正式亮相,不过好菜不怕晚,虽然进度上落后了点,但IMFT的3D NAND有很多独特之处,首先是他们的3D NAND第一款采用FG浮栅极技术量产的,所以在成本及容量上更有优势,其MLC类型闪存核心容量就有256Gb,而TLC闪存则可以做到384Gb,是目前TLC类型3D NAND闪存中容量最大的。

美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的
384Gb容量还不终点,今年的ISSCC大会上美光还公布了容量高达768Gb的3D NAND闪存论文,虽然短时间可能不会量产,但已经给人带来了希望。
Intel的杀手锏:3D XPoint闪存
IMFT在3D NAND闪存上进展缓慢已经引起了Intel的不满,虽然双方表面上还很和谐,但不论是16nm闪存还是3D闪存,Intel跟美光似乎都有分歧,最明显的例子就是Intel都开始采纳友商的闪存供应了,最近发布的540s系列硬盘就用了SK Hynix的16nm TLC闪存,没有用IMFT的。
Intel、美光不合的证据还有最明显的例子——那就是Intel甩开美光在中国大连投资55亿升级晶圆厂,准备量产新一代闪存,很可能就是3D XPoint闪存,这可是Intel的杀手锏。

3D XPoint闪存是Intel掌控未来NAND市场的杀手锏
这个3D XPoint闪存我们之前也报道过很多了,根据Intel官方说法,3D XPoint闪存各方面都超越了目前的内存及闪存,性能是普通显存的1000倍,可靠性也是普通闪存的1000倍,容量密度是内存的10倍,而且是非易失性的,断电也不会损失数据。
由于还没有上市,而且Intel对3D XPoint闪存口风很严,所以我们无法确定3D XPpoint闪存背后到底是什么,不过比较靠谱的说法是基于PCM相变存储技术,Intel本来就是做存储技术起家的,虽然现在的主业是处理器,但存储技术从来没放松,在PCM相变技术上也研究了20多年了,现在率先取得突破也不是没可能。
相比目前的3D NAND闪存,3D XPoint闪存有可能革掉NAND及DRAM内存的命,因为它同时具备这两方面的优势,所以除了做各种规格的SSD硬盘之外,Intel还准备推出DIMM插槽的3D XPoint硬盘,现在还不能取代DDR内存,但未来一切皆有可能。
最后再回到我们开头提到的问题上——中国大陆现在也把存储芯片作为重点来抓,武汉新芯科技(XMC)已经在武汉开工建设12英寸晶圆厂,第一个目标就是NAND闪存,而且是直接切入3D NAND闪存,他们的3D NAND技术来源于飞索半导体(Spansion),而后者又是1993年AMD和富士通把双方的NOR闪存部门合并而来,后来他们又被赛普拉斯半导体以40亿美元的价格收购。
2015年新芯科技与飞索半导体达成了合作协议,双方合作研发、生产3D NAND闪存,主要以后者的MirrorBit闪存技术为基础。不过小编搜遍了网络也没找到多少有关MirrorBit的技术资料。这两家公司的闪存技术多是NOR领域的,3D NAND显然是比不过三星、SK Hynix及东芝等公司的,有一种说法是MirrorBit的堆栈层数只有8层,如果真是这样,相比主流的32-48层堆栈就差很远了,成本上不会有什么优势。

⑤ nand flash是什么意思

nand
flash应该就是nand
memory吧,就是指手机或者mp4的内存,就像电脑的内存一样,为程序的运行保存一些参数变量,断电后会自动清除。他的大小当然也要影响到手机的运行速度。相关的内存数据还有一个就是free
executable
ram
memory,这个是实际可用内存,就是除手机自带程序占用的内存之外,用户可以自己支配的内存,比如开个qq阿,或者打开个游戏阿,实际可用内存的大小会影响到这些程序的运行速度;

⑥ 什么是NAND闪存

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512字节)。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分,实际上还要加上16字节的校验信息,因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是(512+16)字节的页面容量,2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到(2048+64)字节。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页,容量16KB;而大容量闪存采用2KB页时,则每个块包含64个页,容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条,每条数据线每次传输(512+16)bit信息,8条就是(512+16)×8bit,也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计,如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存,容量1Gb,基本数据单位是(256+8)×16bit,还是512字节。
寻址时,NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包,每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大,一组8位地址只够寻址256个页,显然是不够的,因此通常一次地址传送需要分若干组,占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址,传送时分别分组,至少需要三次,占用三个周期。随着容量的增大,地址信息会更多,需要占用更多的时钟周期传输,因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大,寻址时间越长。而且,由于传送地址周期比其他存储介质长,因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。

⑦ NAND闪存中NAND的英文全名是什么还有NOR的全名

NAND其实不是缩写,是Not AND,意思是为:是与非。NOR的意思就是:是或非。

闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。

EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去,然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路,简称为FAMOS。它与MOS电路相似,是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区,通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。

在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中,与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0,浮空栅极带电后(例如负电荷),就在其下面。

源极和漏极之间感应出正的导电沟道,使MOS管导通,即表示存入0.若浮空栅极不带电,则不能形成导电沟道,MOS管不导通,即存入1。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具吸引力。

NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

⑧ 手机未检测到NAND闪存

就是它的主办出问题了 不能用了 修的话 只能是把主板里焊接一下 具体要到修手机的地方弄
所使用软件来测试NAND闪存其实并不是很可靠。一般仅供参考〈br〉关于你的nand type所显示的是fail有可能是尚未检测闪存或者是软件出错所致,一般使用并不影响。

⑨ 什么叫NAND闪存什么叫NOR闪存 这两者有什么区别

NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。NOR Flash是一种非易失闪存技术,是Intel在1988年创建。

区别

1、闪存芯片读写的基本单位不同

应用程序对NOR芯片操作以“字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理,通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块,有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。

应用程序对NAND芯片操作是以“块”为基本单位。NAND闪存的块比较小,一般是8KB,然后每块又分成页,页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节,必须重写整个数据块。

2、应用不同

NOR闪存是随机存储介质,用于数据量较小的场合;NAND闪存是连续存储介质,适合存放大的数据。

3、速度不同

N AN D闪存芯片因为共用地址和数据总线的原因,不允许对一个字节甚至一个块进行的数据清空,只能对一个固定大小的区域进行清零操作;而NOR芯片可以对字进行操作。所以在处理小数据量的I/O操作的时候的速度要快与NAND的速度。