① 什麼是IGBT，中國成功研製出8英寸IGBT的意義
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管晶元）與FWD（續流二極體晶元）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝後的IGBT模塊直接應用於變頻器、UPS不間斷電源等設備上；
由於電子工業基礎薄弱、技術門檻高等原因，我國大功率IGBT器件一度開發滯後，相關技術長期被ABB、英飛凌、三菱等國外公司控制，軌道交通用IGBT曾一度全部依賴進口。
近年來，世界范圍內IGBT器件發展迅速，特別是中國發展速度最快，成為IGBT器件最大消費國。未來隨著國家節能減排、加強自主創新能力等政策的引導和支持，市場的需求量逐年迅猛增長。據統計，目前我國IGBT年需求量已超過75億元，而且每年以30%以上的速度增長。我國的技術進步和產業升級對IGBT器件有著很強的依賴性，國內IGBT市場供不應求。有關資料預測，到2020年，僅軌道交通電力牽引每年IGBT模塊的市場規模不低於10億元；此外，智能電網市場也將不低於4億元。
中國成功研製出8英寸IGBT的意義：智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及家電節能等本土市場，更為企業的技術突破，實現IGBT的替代創造了堅實的市場基礎。尤其是節能與新能源是國家發展新興科技產業的重點，而IGBT則是節能與新能源領域核心器件，所以IGBT產業化不僅僅是市場需求，同時也是國家發展的戰略需求。發改委於2010年3月19日下發紅頭文件：《國家發展改革委辦公廳關於組織實施2010年新型電力電子器件產業化專項的通知》，其專項重點明確了以IGBT為代表的晶元和器件的設計開發及產業化、功率模塊產業化。這說明國家對目前功率半導體國產化的現狀已有比較深刻的認識和危機意識
② abb沒有自己的igbt吧，怎麼裡面的log都是三菱 東芝 還有西門康。。，
ABB是有自己的IGBT晶元和模塊的，只是低壓的晶元主要是外賣，高壓的自己封裝成模塊，主要用在電力行業，據說ABB的功率半導體不為了掙錢，只是一個策略性的產品。
③ abb變頻器的igbt功率模塊的連接線是什麼材料做的
含銀，為了提高導通性
④ 請教大神，有沒有集成H橋（就是4個IGBT）的智能功率模塊（IPM）或IGBT模塊呢若有，給說一下具體型號吧~
三菱 英飛凌 丹尼克斯 ABB 日立 的 TE003W000000 8個IGBT
⑤ ABB550變頻器的功率器件是什麼
變頻一般都是IGBT、整流橋、功率電阻也算吧。ABB550的變頻逆變都是IGBT。整流有的是晶閘管（R6）或半晶閘管（R5）整流，有的是二極體整流（R1--R4)。R1-R4的是整流和逆變一體的模塊，R5、R6的是分開的。
⑥ ABB變頻器510整流橋模塊,炸了自己換個行嗎
可以自己換整流橋，但換整流橋前必須了解一下幾點：
1、變頻器是否在保修期，在保修期就不要自己冒然動手。
2、了解下為什麼會炸整流橋模塊，如果是由於外在原因造成整流橋模塊爆炸的，不排除外在原因再換上新的整流橋還會爆炸。
3、應更換台燈類型的整流橋模塊，如無同類型的模塊可以選用參數更高的模塊來替換。
⑦ abb IGBT模塊哪裡有
IGBT是功率半導體器件第三次技術革命的代表性產品，具有高頻率、高電壓、大電流，易於開關等優良性能，被業內稱為功率變流裝置的「CPU」，廣泛應用於軌道交通、航空航天、船舶驅動、智能電網、新能源、交流變頻、風力發電、電機傳動、汽車等強電控制等產業領域。在英唐眾創的模塊商城，供應的IGBT模塊包括德國英飛凌、瑞士ABB、美國IR、飛兆以及日本三菱、東芝、富士等公司的各種型號。
⑧ 如何查看ABB變頻器ISU模塊內IGBT哪項有故障
除非IGBT有明顯的變化，比方說燒黑了之類的，否則，單憑肉眼，是無法看出IGBT是否OK的話。要想做出准確的判斷的話，需要將IGBT拆下來，並用萬用表進行測量。
將萬用表撥在R×10KΩ擋，用黑表筆接IGBT的集電極（C），紅表筆接IGBT的發射極（E），此時萬用表的指針在零位。用手指同時觸及一下柵極（G）和集電極（C），這時IGBT被觸發導通，萬用表的指針擺向阻值較小的方向，並能站住指示在某一位置。然後再用手指同時觸及一下柵極（G）和發射極（E），這時IGBT被阻斷，萬用表的指針回零。此時即可判斷IGBT是好的。
IGBT模塊
(8)ABBIGBT功率模塊擴展閱讀
一、逆變器IGBT模塊檢測
將數字萬用表撥到二極體測試檔，測試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極體特性，來判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負載側U、V、W相的導線拆除，使用二極體測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W,萬用表顯示數值為最大；將表筆反過來，黑表筆接P,紅表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右。再將紅表筆接N（發射極e2），黑表筆測U、V、W,萬用表顯示數值為400左右；黑表筆接P,紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數值為最大。各相之間的正反向特性應相同，若出現差別說明IGBT模塊性能變差，應予更換。IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現。
紅、黑兩表筆分別測柵極G與發射極E之間的正反向特性， 萬用表兩次所測的數值都為最大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數字顯示，則門極性能變差，此模塊應更換。當正反向測試結果為零時，說明所檢測的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時電路板保護門極的穩壓管也將擊穿損壞。
二、IGBT
IGBT（），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極體）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管晶元）與FWD（續流二極體晶元）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品；封裝後的IGBT模塊直接應用於變頻器、UPS不間斷電源等設備上。
⑨ ABB變頻器IGBT模塊輸出U、V、W端，U和W在電路板上接了兩個豎著焊接的小電路板。
這是電流感測器，由於變頻器的功率不大就沒有採用霍爾電流感測器。