『壹』 製做SIP的一般流程
根據國際半導體路線組織（ITRS）的定義：SiP為將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的單個標准封裝件，形成一個系統或者子系統。
從架構上來講，SiP是將多種功能晶元，包括處理器、存儲器等功能晶元集成在一個封裝內，從而實現一個基本完整的功能。與SOC（片上系統）相對應。不同的是系統級封裝是採用不同晶元進行並排或疊加的封裝方式，而SOC則是高度集成的晶元產品。
(1)sip封裝擴展閱讀
SiP超越摩爾定律下的重要實現路徑。眾所周知的摩爾定律發展到現階段，行業內有兩條路徑：一是繼續按照摩爾定律往下發展，走這條路徑的產品有CPU、內存、邏輯器件等，這些產品占整個市場的50%。
另外就是超越摩爾定律的More than Moore路線，晶元發展從一味追求功耗下降及性能提升方面，轉向更加務實的滿足市場的需求。這方面的產品包括了模擬/RF器件，無源器件、電源管理器件等，大約佔到了剩下的那50%市場。
『貳』 電阻的封裝dip，sip和smd分別代表什麼意思
DIP是雙列直插式封裝技術
SIP是單列直插式封裝技術
SMD是貼片封裝技術
『叄』 封裝SIP和SOIC有什麼區別
一、立場區別
1、SIP：SIP是從封裝的立場出發，對不同晶元進行並排或疊加的封裝方式，將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的單個標准封裝件。
2、SOIC：SoIC是從設計的角度出發，是將系統所需的組件高度集成到一塊晶元上。
二、定義不同
1、SIP：SIP封裝（System In a Package系統級封裝）是將多種功能晶元，包括處理器、存儲器等功能晶元集成在一個封裝內，從而實現一個基本完整的功能。
2、SOIC：小外形集成電路封裝，指外引線數不超過28條的小外形集成電路，一般有寬體和窄體兩種封裝形式。其中具有翼形短引線者稱為SOL器件，具有J型短引線者稱為SOJ器件。
三、使用標准不同
1、SIP：SiP集成了AP+mobile DDR，某種程度上說SIP=SoC+DDR，隨著將來集成度越來越高，emmc也很有可能會集成到SiP中。
2、SOIC：SOIC實際上至少參考了兩個不同的封裝標准。EIAJ標准中SOIC大約為5.3mm寬，習慣上使用SOP；而JEDEC標准中SOIC8~16大約為3.8mm寬，SOIC16~24大約7.5mm寬，習慣上使用SOIC。
『肆』 有哪些知名的SiP封裝方案商
長芯半導體，它們推出了一個開放的物聯網SiP製造平台——M.D.E.Spackage，提供現有的、成熟的SiP系統方案和晶圓庫。通過這個，你可以有兩種方式定製自己的SiP晶元。
『伍』 HDR1封裝與SIP封裝一樣嗎
從外觀上看，SIP和DIP是插件的，SIP是單排Pin腳，DIP是雙排Pin腳，用AI機器或手工插件；而SOIC是雙排引腳，SOIC分：SOP和SOJ，只是引腳外形不一樣，都是貼裝的，用SMT貼片機貼裝。
單列直插式封裝（SIP）引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。通常單列直插式封裝(SIP)
，它們是通孔式的，管腳插入印刷電路板的金屬孔內。當裝配到印刷基板上時封裝呈側立狀。這種形式的一種變化是鋸齒型單列式封裝(ZIP)，它的管腳仍是從封裝體的一邊伸出，但排列成鋸齒型。這樣，在一個給定的長度范圍內，提高了管腳密度。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2至23，多數為定製產品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP相同的封裝稱為SIP。
DIP封裝，是al inline-pin package的縮寫，也叫雙列直插式封裝技術，雙入線封裝，DRAM的一種元件封裝形式。指採用雙列直插形式封裝
的集成電路晶元，絕大多數中小規模集成電路均採用這種封裝形式，其引腳數一般不超過100。
SOIC（Small Outline Integrated Circuit Package），小外形集成電路封裝，指外引線數不超過28條的小外形集成電路，一般有寬體和窄體兩種封裝形式。其中具有翼形短引線者稱為SOL器件，具有J型短引線者稱為SOJ器件。
『陸』 SIP封裝什麼意思
SIP(封裝系統)是什麼意思封裝概述
半導體器件有許多封裝型式，從DIP、SOP、QPF、PGA、BGA到CSP再到SIP，技術指標一代比一代先進，這些都是前人根據當時的組裝技術和市場需求而研製的。
『柒』 sip封裝和mems封裝的區別
SIP（System In a Package系統級封裝）是將多種功能晶元，包括處理器、存儲器等功能晶元集成在一個封裝內，從而實現一個基本完整的功能。與SOC（System On a Chip系統級晶元）相對應。不同的是系統級封裝是採用不同晶元進行並排或疊加的封裝方式，而SOC則是高度集成的晶元產品。 有人將SIP定義為：將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的單個標准封裝件，從而形成一個系統或者子系統。從封裝發展的角度來看，SIP是SOC封裝實現的基礎。
『捌』 電子元器件行業中說的SIP是什麼意思
單列直插式封裝（SIP）引腳從封裝一個側面引出，排列成一條直線。通常，它們是通孔式的，管腳插入印刷電路板的金屬孔內。當裝配到印刷基板上時封裝呈側立狀。這種形式的一種變化是鋸齒型單列式封裝(ZIP)，它的管腳仍是從封裝體的一邊伸出，但排列成鋸齒型。這樣，在一個給定的長度范圍內，提高了管腳密度。引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從2至23，多數為定製產品。封裝的形狀各異。也有的把形狀與ZIP相同的封裝稱為SIP。
SIP封裝並無一定型態，就晶元的排列方式而言，SIP可為多晶元模塊(Multi-chipMole；MCM)的平面式2D封裝，也可再利用3D封裝的結構，以有效縮減封裝面積；而其內部接合技術可以是單純的打線接合(WireBonding)，亦可使用覆晶接合(FlipChip)，但也可二者混用。除了2D與3D的封裝結構外，另一種以多功能性基板整合組件的方式，也可納入SIP的涵蓋范圍。此技術主要是將不同組件內藏於多功能基板中，亦可視為是SIP的概念，達到功能整合的目的。
不同的晶元排列方式，與不同的內部接合技術搭配，使SIP的封裝型態產生多樣化的組合，並可依照客戶或產品的需求加以客制化或彈性生產。
構成SIP技術的要素是封裝載體與組裝工藝。前者包括PCB，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一塊IC)。後者包括傳統封裝工藝(Wirebond和FlipChip)和SMT設備。無源器件是SIP的一個重要組成部分，其中一些可以與載體集成為一體(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、數值高的電感、電容等)通過SMT組裝在載體上。SIP的主流封裝形式是BGA。就目前的技術狀況看，SIP本身沒有特殊的工藝或材料。這並不是說具備傳統先進封裝技術就掌握了SIP技術。由於SIP的產業模式不再是單一的代工，模塊劃分和電路設計是另外的重要因素。模塊劃分是指從電子設備中分離出一塊功能，既便於後續的整機集成又便於SIP封裝。電路設計要考慮模塊內部的細節、模塊與外部的關系、信號的完整性(延遲、分布、雜訊等)。隨著模塊復雜度的增加和工作頻率(時鍾頻率或載波頻率)的提高，系統設計的難度會不斷增加，導致產品開發的多次反復和費用的上升，除設計經驗外，系統性能的數值模擬必須參與設計過程。
『玖』 Sip封裝技術是什麼意思
SIP（System In a Package系統級封裝）是將多種功能晶元，包括處理器、存儲器等功能晶元集成在一個封裝內，從而實現一個基本完整的功能。與SOC（System On a Chip系統級晶元）相對應。不同的是系統級封裝是採用不同晶元進行並排或疊加的封裝方式，而SOC則是高度集成的晶元產品。
有人將SIP定義為：將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學器件等其他器件優先組裝到一起，實現一定功能的單個標准封裝件，從而形成一個系統或者子系統。從封裝發展的角度來看，SIP是SOC封裝實現的基礎。
『拾』 簡單介紹BGA封裝和SIP封裝！！！
CSP封裝可以讓晶元面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經相當接近1：1的理想情況，絕對尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當於TSOP內存晶元面積的1/6。這樣在相同體積下，內存條可以裝入更多的晶元，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。 CSP封裝內存不但體積小，同時也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2mm，大大提高了內存晶元在長時間運行後的可靠性，線路阻抗顯著減小，晶元速度也隨之得到大幅度的提高。 CSP封裝的電氣性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相當大的提高。在相同的晶元面積下CSP所能達到的引腳數明顯的要比TSOP、BGA引腳數多的多（TSOP最多304根，BGA以600根為限,CSP原則上可以製造1000根），這樣它可支持I/O埠的數目就增加了很多。此外，CSP封裝內存晶元的中心引腳形式有效的縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，晶元的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比BGA改善15%－20%。 在CSP的封裝方式中，內存顆粒是通過一個個錫球焊接在PCB板上，由於焊點和PCB板的接觸面積較大，所以內存晶元在運行中所產生的熱量可以很容易地傳導到PCB板上並散發出去；而傳統的TSOP封裝方式中，內存晶元是通過晶元引腳焊在PCB板上的，焊點和PCB板的接觸面積較小，使得晶元向PCB板傳熱就相對困難。 CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。測試結果顯示，運用CSP封裝的內存可使傳導到PCB板上的熱量高達88.4%，而TSOP內存中傳導到PCB板上的熱量能為71.3%。另外由於CSP晶元結構緊湊，電路冗餘度低，因此它也省去了很多不必要的電功率消耗，致使晶元耗電量和工作溫度相對降低。 目前內存顆粒廠在製造DDR333和DDR400內存的時候均採用0.175微米製造工藝，良品率比較低。而如果將製造工藝提升到0.15甚至0.13微米的話，良品率將大大提高。而要達到這種工藝水平，採用CSP封裝方式則是不可避免的。因此CSP封裝的高性能內存是大勢所趨。