❶ 中科院正式宣布，已研發出5nm光刻技術，距離造成5nm晶元還要多久
製造5nm晶元還要多久，這個時間很難說，為什麼？因為製造5nm晶元我國必須有自己的光刻機。這個機器非常難製造，記得美國用了近二十年的時間才在這方面占據領先位置。現在不同以往，我國追趕的話，要製造5nm晶元長則十年，短則三五年。
綜合來看，5nm晶元沒有三幾年難以實現，不過如果集合很多很多的資源並且可以光刻機，或者國內某個公司創造奇跡，那麼一兩年的時間都有可能。
❷ 光刻技術是蝕刻還是雕刻
光刻技術常見是蝕刻，高溫高壓觸點蝕刻。
❸ 光刻技術的基本步驟
1.氣相成底模
2.旋轉烘膠
3.軟烘
4.對准和曝光
5.曝光後烘焙（PEB）
6.顯影
7.堅膜烘焙
8.顯影檢查
❹ 都說要提高我國的光刻機技術，那這是一種怎樣的技術呢
光刻機到底是個什麼東西？這個東西簡單來說它就是刻畫晶元的一個東西，我們手機電腦包括汽車電視它裡面都離不開晶元，只不過就是晶元的功能個位相同，但是你可以把晶元理解為一個人的大腦這個晶元的精度越高，拿這個大腦就越聰明。
所以我們需要更加高端的光刻機，現在我國有的應該是在14納米左右這個光刻機不足以滿足日常的使用，你現在所使用的天級1200，驍龍865，甚至說驍龍888，它基本都是5納米6納米7納米這樣一個程度的，所以我們還有很大的差距，我們還是要繼續努力，而且也不能盲目自信，我們應該對國產的公司有信心，但是盲目的信心是不行的，未來5~10年之內我們能夠趕上去，並且走到一個世界光刻機領域相當靠前的位置，這就算是發展不錯的。
❺ 光刻技術的種類及介紹
你可以參看這些資料
http://ke..com/view/359979.htm?fr=ala0_1
http://ke..com/view/1117847.htm
❻ 納米光刻技術和傳統光刻技術的區別
區別大了。你所謂的納米平板印刷技術是指納米壓印的一種，而納米壓印又算做是下一代光刻技術中的一種。
光刻，是一種圖形轉移的方法，是把設計好的圖形轉移到塗覆在襯底表面的光刻膠層上的方法。如果按照你說的納米平板印刷術這個層次來分類，那麼光刻的種類有幾十種，就不一一敘述了，建議看專業書籍。
❼ 光刻機技術到底是誰發明的
光刻機技術是法國人NicephoreNiepce發明的。
在早期階段其功能簡單，而且使用的材料也是較為粗糙的，通過材料光照實驗發現能夠復制一種刻著在油紙上的印痕，而在其出現在玻璃片上後，經過一段時間的日曬，其透光部分的瀝青就會變得很硬，但在不透光部分則可以用松香和植物油將其洗掉。
盡管光刻機發明的時間較早，不過在其發明之後，並沒有在各行業領域之中被使用，直到第2次世界大戰時，該技術應用於印刷電路板，所使用的材料和早期發明時使用的材料也已經有了極大區別。
在塑料板上通過銅線路製作，讓電路板得以普及，短期之內就成為了眾多電子設備領域中最為關鍵的材料之一。
光刻機性能指標：
光刻機的主要性能指標有：支持基片的尺寸范圍，解析度、對准精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。
解析度是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。光刻的解析度受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。
對准精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域，光源有汞燈，準分子激光器等。
❽ 光刻曝光技術的主要流程及每個步驟的意義
光刻工藝主要步驟
1. 基片前處理
為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘貼，形成平滑且結合得很好的膜，必須進行表面准備，保持表面乾燥且干凈，
2. 塗光刻膠
塗膠的目標是在晶圓表面建立薄的、均勻的，並且沒有缺陷的光刻膠膜。
3. 前烘(軟烘焙)
前烘的目的是去除膠層內的溶劑，提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機械擦傷能力。
4. 對准和曝光(A＆E)
保證器件和電路正常工作的決定性因素是圖形的准確對准，以及光刻膠上精確的圖形尺寸的形成。所以，塗好光刻膠後，第一步是把所需圖形在晶圓表面上准確定位或對准。第二步是通過曝光將圖形轉移到光刻膠塗層上。
5. 顯影
顯影是指把掩膜版圖案復制到光刻膠上。
6. 後烘(堅膜)
經顯影以後的膠膜發生了軟化、膨脹，膠膜與矽片表面粘附力下降。為了保證下一道刻蝕工序能順利進行，使光刻膠和晶圓表面更好地粘結，必須繼續蒸發溶劑以固化光刻膠。
7. 刻蝕
刻蝕是通過光刻膠暴露區域來去掉晶圓最表層的工藝，主要目標是將光刻掩膜版上的圖案精確地轉移到晶圓表面。
8. 去除光刻膠
刻蝕之後，圖案成為晶圓最表層永久的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，必須從表面去掉。
❾ 什麼是光刻技術
光刻技術主要應用在微電子中。它一般是對半導體進行加工，需要一個有部分透光部分不透光的掩模板，通過曝光、顯影、刻蝕等技術獲得和掩模板一樣的圖形。先在處理過後的半導體上塗上光刻膠，然後蓋上掩模板進行曝光；其中透光部分光刻膠的化學成分在曝光過程中發生了變化；之後進行顯影，將發生化學變化的光刻膠腐蝕掉，裸露出半導體；之後對裸露出的半導體進行刻蝕，最後把光刻膠去掉就得到了想要的圖形。光刻技術在微電子中佔有很大的比重，比如微電子技術的進步是通過線寬來評價的，而線寬的獲得跟光刻技術有很大的關系。
光刻技術就是在需要刻蝕的表面塗抹光刻膠，乾燥後把圖形底片覆蓋其上，有光源照射，受光部分即可用葯水洗掉膠膜，沒有膠膜的部分即可用濃酸濃鹼腐蝕表面。腐蝕好以後再洗掉其餘的光刻膠。現在為了得到細微的光刻線條使用紫外線甚至X射線作為光源。
❿ 光刻技術的原理是什麼
光刻工藝是利用類似照相製版的原理，在半導體晶片表面的掩膜層上面刻蝕精細圖形的表面加工技術。也就是使用可見光和紫外光線把電路圖案投影「印刷」到覆有感光材料的硅晶片表面，再經過蝕刻工藝去除無用部分，所剩就是電路本身了。光刻工藝的流程中有製版、矽片氧化、塗膠、曝光、顯影、腐蝕、去膠等。
光刻是製作半導體器件和集成電路的關鍵工藝。自20世紀60年代以來，都是用帶有圖形的掩膜覆蓋在被加工的半導體晶元表面，製作出半導體器件的不同工作區。隨著集成電路所包含的器件越來越多，要求單個器件尺寸及其間隔越來越小，所以常以光刻所能分辨的最小線條寬度來標志集成電路的工藝水平。國際上較先進的集成電路生產線是1微米線，即光刻的分辨線寬為1微米。日本兩家公司成功地應用加速器所產生的同步輻射X射線進行投影式光刻，製成了線寬為0.1微米的微細布線，使光刻技術達到新的水平。