Ⅰ PECVD是什麼
PECVD就是化學氣相沉積法，是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域，PCEVD是等離子體增強化學氣相沉積英文的各個詞字母的首個字母。
Ⅱ PECVD MOCVD的區別
pecvd：等離子增強化學氣象沉澱。在現在光伏材料鍍減放射膜工藝中使用有很好的效果。 MOCVD是金屬有機化合物化學氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫。MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長。
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Ⅲ PECVD 是什麼
PECVD--等離子體增強化學氣相沉積法
為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
Ⅳ 板式pecvd和管式pecvd的區別
前者是在管子里，片子在石墨舟里作為電極鍍膜，可以叫做直接式，後者則在石墨框上，不作為電極，可以叫做間接式。前者採用射頻電源，後者則採用微波輝光。另外還有很多不同之處。
Ⅳ PECVD工作原理
PECVD--等離子體化學氣相沉積法
為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD).
實驗機理：
輝光放電等離子體中：電子密度高(109~1012/cm3)
電子氣溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍
雖環境溫度(100-300℃)，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解，離解和離化，從而大大提高了參與反應物的活性。
因此，這些具有高反應活性的中性物質很容易被吸附到較低溫度的基本表面上，發生非平衡的化學反應沉積生成薄膜。
優點：基本溫度低；沉積速率快；
成膜質量好，針孔少，不易龜裂。
缺點：1.設備投資大、成本高，對氣體的純度要求高；
2.塗層過程中產生的劇烈噪音、強光輻射、有害氣體、金屬蒸汽粉塵等對人體有害；
3.對小孔孔徑內表面難以塗層等。
Ⅵ PVD／PECVD技術具體指的是什麼
PVD(Physical Vapor Deposition)，指利用物理過程實現物質轉移，將原子或分子由源轉移到基材表面上的過程。它的作用是可以是某些有特殊性能（強度高、耐磨性、散熱性、耐腐性等）的微粒噴塗在性能較低的母體上，使得母體具有更好的性能。 PVD基本方法：真空蒸發、濺射 、離子鍍（空心陰極離子鍍、熱陰極離子鍍、電弧離子鍍、活性反應離子鍍、射頻離子鍍、直流放電離子鍍）。
PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) -- 等離子體增強化學氣相沉積法。藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。
Ⅶ 光伏中PECVD什麼意思
PECVD：是藉助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。
Ⅷ PECVD是什麼
輔助化學氣象沈積（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）,在做完第一層Laser後進行,主要是形成半導體p-i-n,為的是增加光譜吸收及產生電流
Ⅸ pecvd有哪幾種設備
按等離子體激發電源區分，有射頻電源（RF-PECVD）、甚高頻電源（VHF-PECVD）、電子迴旋共振（ECR-PECVD）、線性微波（LM-PECVD）等。按電源偶合結構區分，有電容偶合（傳統PECVD）、電感偶合（ICP-PECVD）、表面波偶合（ECR-PECVD）、同軸天線偶合（LM-PECVD）等。按樣品安放結構區分，有管式PECVD和平板式PECVD等。
Ⅹ PECVD工作原理是什麼
1PECVD工藝的基本原理
PECVD技術是在低氣壓下，利用低溫等離子體在工藝腔體的陰極上（即樣品放置的托盤）產生輝光放電，利用輝光放電（或另加發熱體）使樣品升溫到預定的溫度，然後通入適量的工藝氣體，這些氣體經一系列化學反應和等離子體反應，最終在樣品表面形成固態薄膜。其工藝原理示意圖如圖1所示。
在反應過程中，反應氣體從進氣口進入爐腔，逐漸擴散至樣品表面，在射頻源激發的電場作用下，反應氣體分解成電子、離子和活性基團等。這些分解物發生化學反應，生成形成膜的初始成分和副反應物，這些生成物以化學鍵的形式吸附到樣品表面，生成固態膜的晶核，晶核逐漸生長成島狀物，島狀物繼續生長成連續的薄膜。在薄膜生長過程中，各種副產物從膜的表面逐漸脫離，在真空泵的作用下從出口排出。
2.2PECVD設備的基本結構
PECVD設備主要由真空和壓力控制系統、淀積系統、氣體及流量控制、系統安全保護系統、計算機控制等部分組成。其設備結構框圖如圖2所示。
2.2.1真空和壓力控制系統
真空和壓力控制系統包括機械泵、分子泵、粗抽閥、前級閥、閘板閥、真空計等。為了減少氮氣、氧氣以及水蒸氣對淀積工藝的影響，真空系統一般採用干泵和分子泵進行抽氣，干泵用於抽低真空，與常用的機械油泵相比，可以避免油泵中的油氣進入真空室污染基片。在干泵抽到一定壓力以下後，打開閘板閥，用分子泵抽高真空。分子泵的特點是抽本體真空能力強，尤其是除水蒸汽的能力非常強。
2.2.2淀積系統
淀積系統由射頻電源、水冷系統、基片加熱裝置等組成。它是PECVD的核心部分。射頻電源的作用是使反應氣體離子化。水冷系統主要為PECVD系統的機械泵、羅茨泵、干泵、分子泵等提供冷卻，當水溫超過泵體要求的溫度時，它會發出報警信號。冷卻水的管路採用塑料管等絕緣材料，不可用金屬管。基片加熱裝置的作用使樣品升溫到工藝要求溫度，除掉樣品上的水蒸氣等雜質，以提高薄膜與樣品的附著力。
2.2.3氣體及流量控制系統
PECVD系統的氣源幾乎都是由氣體鋼瓶供氣，這些鋼瓶被放置在有許多安全保護裝置的氣櫃中，通過氣櫃上的控制面板、管道輸送到PECVD的工藝腔體中。
在淀積時，反應氣體的多少會影響淀積的速率及其均勻性等，因此需要嚴格控制氣體流量，通常採用質量流量計來實現精確控制。