① 什么是IGBT，中国成功研制出8英寸IGBT的意义
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
由于电子工业基础薄弱、技术门槛高等原因，我国大功率IGBT器件一度开发滞后，相关技术长期被ABB、英飞凌、三菱等国外公司控制，轨道交通用IGBT曾一度全部依赖进口。
近年来，世界范围内IGBT器件发展迅速，特别是中国发展速度最快，成为IGBT器件最大消费国。未来随着国家节能减排、加强自主创新能力等政策的引导和支持，市场的需求量逐年迅猛增长。据统计，目前我国IGBT年需求量已超过75亿元，而且每年以30%以上的速度增长。我国的技术进步和产业升级对IGBT器件有着很强的依赖性，国内IGBT市场供不应求。有关资料预测，到2020年，仅轨道交通电力牵引每年IGBT模块的市场规模不低于10亿元；此外，智能电网市场也将不低于4亿元。
中国成功研制出8英寸IGBT的意义：智能电网、高铁建设、新能源汽车以及家电节能等本土市场，更为企业的技术突破，实现IGBT的替代创造了坚实的市场基础。尤其是节能与新能源是国家发展新兴科技产业的重点，而IGBT则是节能与新能源领域核心器件，所以IGBT产业化不仅仅是市场需求，同时也是国家发展的战略需求。发改委于2010年3月19日下发红头文件：《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》，其专项重点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化。这说明国家对目前功率半导体国产化的现状已有比较深刻的认识和危机意识
② abb没有自己的igbt吧，怎么里面的log都是三菱 东芝 还有西门康。。，
ABB是有自己的IGBT芯片和模块的，只是低压的芯片主要是外卖，高压的自己封装成模块，主要用在电力行业，据说ABB的功率半导体不为了挣钱，只是一个策略性的产品。
③ abb变频器的igbt功率模块的连接线是什么材料做的
含银，为了提高导通性
④ 请教大神，有没有集成H桥（就是4个IGBT）的智能功率模块（IPM）或IGBT模块呢若有，给说一下具体型号吧~
三菱 英飞凌 丹尼克斯 ABB 日立 的 TE003W000000 8个IGBT
⑤ ABB550变频器的功率器件是什么
变频一般都是IGBT、整流桥、功率电阻也算吧。ABB550的变频逆变都是IGBT。整流有的是晶闸管（R6）或半晶闸管（R5）整流，有的是二极管整流（R1--R4)。R1-R4的是整流和逆变一体的模块，R5、R6的是分开的。
⑥ ABB变频器510整流桥模块,炸了自己换个行吗
可以自己换整流桥，但换整流桥前必须了解一下几点：
1、变频器是否在保修期，在保修期就不要自己冒然动手。
2、了解下为什么会炸整流桥模块，如果是由于外在原因造成整流桥模块爆炸的，不排除外在原因再换上新的整流桥还会爆炸。
3、应更换台灯类型的整流桥模块，如无同类型的模块可以选用参数更高的模块来替换。
⑦ abb IGBT模块哪里有
IGBT是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，具有高频率、高电压、大电流，易于开关等优良性能，被业内称为功率变流装置的“CPU”，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制等产业领域。在英唐众创的模块商城，供应的IGBT模块包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国IR、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司的各种型号。
⑧ 如何查看ABB变频器ISU模块内IGBT哪项有故障
除非IGBT有明显的变化，比方说烧黑了之类的，否则，单凭肉眼，是无法看出IGBT是否OK的话。要想做出准确的判断的话，需要将IGBT拆下来，并用万用表进行测量。
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT是好的。
IGBT模块
(8)ABBIGBT功率模块扩展阅读
一、逆变器IGBT模块检测
将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块c1 e1、c2 e2之间以及栅极G与 e1、 e2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
以六相模块为例。将负载侧U、V、W相的导线拆除，使用二极管测试档，红表笔接P（集电极c1），黑表笔依次测U、V、W,万用表显示数值为最大；将表笔反过来，黑表笔接P,红表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右。再将红表笔接N（发射极e2），黑表笔测U、V、W,万用表显示数值为400左右；黑表笔接P,红表笔测U、V、W，万用表显示数值为最大。各相之间的正反向特性应相同，若出现差别说明IGBT模块性能变差，应予更换。IGBT模块损坏时，只有击穿短路情况出现。
红、黑两表笔分别测栅极G与发射极E之间的正反向特性， 万用表两次所测的数值都为最大，这时可判定IGBT模块门极正常。如果有数字显示，则门极性能变差，此模块应更换。当正反向测试结果为零时，说明所检测的一相门极已被击穿短路。门极损坏时电路板保护门极的稳压管也将击穿损坏。
二、IGBT
IGBT（），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。
⑨ ABB变频器IGBT模块输出U、V、W端，U和W在电路板上接了两个竖着焊接的小电路板。
这是电流传感器，由于变频器的功率不大就没有采用霍尔电流传感器。