㈠ 集成电路工艺主要分为哪几类每一类中包括哪些主要工艺并简述工艺的主要作用
工艺是指衬底制备，离子注入，扩散，外延，氧化，抛光，光刻这些步骤吧。
其实步骤蛮多的，我说我上课学到的部分，衬底制备就是对硅衬底进行一些改进，消除一些表面态，内部晶格的损伤什么的；
离子注入和扩散就是在硅上面进行参杂，以提高导电率或者是让他反型；
外延就是在表面上再生长一层东西，可以是其他半导体材料，金属等各种东西为的是形成；氧化就是形成二氧化硅隔离层，或者是场氧化层；
抛光就是你在硅上面生长了东西或者是利用大马士革工艺形成了各种沟道啊，导线啊什么的，你要把突出来的地方利用物理或者化学的方法去掉，是表面平滑，一边进行下一步；
光刻是最重要的一步，没走一层就要用光刻来完成，光刻主要是完成离子注入，扩散等上面这些东西的。只有利用光刻才能把你想走的线路或者想要参杂的地方在硅表面呈现出来。。
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㈡ 集成电路工艺的工艺特点
单片集成电路和薄膜与厚膜集成电路这三种工艺方式各有特点，可以互相补充。通用电路和标准电路的数量大，可采用单片集成电路。需要量少的或是非标准电路，一般选用混合工艺方式，也就是采用标准化的单片集成电路，加上有源和无源元件的混合集成电路。厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。厚膜工艺所用工艺设备比较简易，电路设计灵活，生产周期短，散热良好，所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。另外，由于厚膜电路在工艺制造上容易实现多层布线，在超出单片集成电路能力所及的较复杂的应用方面，可将大规模集成电路芯片组装成超大规模集成电路，也可将单功能或多功能单片集成电路芯片组装成多功能的部件甚至小的整机。
㈢ 集成电路工艺发展水平的最重要的指标是哪一个目前最高达到什么水平
目前国际上最新工艺为7nm，我国已普及28nm，正在尝试进军14nm。
中国大陆集成电路制程工艺之所以落后于国际先进水平，除了技术基础薄弱的历史原因之外，主要是受到先进光刻机对华禁售禁运的影响。
不过，随着大陆光刻技术的进步，国际技术封锁正在逐渐被打破。相信不久的未来，大陆自主集成电路制造水平赶上甚至超越国际水平会成为现实。
㈣ 集成电路工艺的薄膜工艺
薄膜集成电路工艺
整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。
薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作, 它的材料结构有两种形式：①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；②薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。
实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。
㈤ 集成电路工艺的工艺发展
单片集成电路除向更高集成度发展外，也正在向着大功率、线性、高频电路和模拟电路方面发展。不过,在微波集成电路、较大功率集成电路方面，薄膜、厚膜混合集成电路还具有优越性。在具体的选用上，往往将各类单片集成电路和厚膜、薄膜集成工艺结合在一起，特别如精密电阻网络和阻容网络基片粘贴于由厚膜电阻和导带组装成的基片上，装成一个复杂的完整的电路。必要时甚至可配接上个别超小型元件，组成部件或整机。
㈥ 集成电路工艺主要分为哪几类
集成电路工艺主要分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路3类。
半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源元件的集成电路。
无源元件的数值范围可以做得很宽，精度可以做得很高。技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这就是混合集成电路。
根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。
(6)集成电路工艺扩展阅读：
1、按用途分类
集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。
2、按应用领域分类
集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。
3、按外形分类
集成电路按外形可分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。
㈦ 什么是28nm集成电路工艺
28nm集成电路工艺：它指的是晶体管门电路的尺寸，现阶段主要以纳米（nm）为单位，制造工艺的提高，意味着显示芯片的体积将更小、集成度更高，可以容纳更多的晶体管和中央处理器一样，显示卡的核心芯片，也是在硅晶片上制成的。
CPU制作工艺指的是在生产CPU过程中，现在其生产的精度以纳米来表示，精度越高，生产工艺越先进。在同样的材料中可以容纳更多的电子元件，连接线也越细，有利于提高CPU的集成度。
(7)集成电路工艺扩展阅读：
制造工艺详解：
1、硅提纯
生产CPU与GPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。
在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米，而CPU或GPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。
2、切割晶圆
硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU与GPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个处理器的内核。
3、影印
在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻物质，紫外线通过印制着处理器复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域不受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。
4、蚀刻
这是CPU与GPU生产过程中重要操作，也是处理器工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。
然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，处理器的门电路就完成了。
㈧ 集成电路工艺中的TTL和CMOS分别是什么全拼是什么
TTL：Transistor-Transistor Logic，晶体管-晶体管逻辑
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconctor，互补金属氧化物半导体
㈨ 集成电路的前段工艺
如果你把元器件级联当成后工艺的话，那么前工艺的确就是元器件的制造。包括电阻 、电容、晶体管等。主要工艺流程就是氧化、离子注入、光刻、汽相淀积、热处理等相关工艺流程。具体查看相关工艺资料。
㈩ 什么叫集成电路工艺节点
集成电路的工艺节点（integrated circuit technique）：
泛指在集成电路加工过程中的“特征尺寸”，这个尺寸越小，表示工艺水平越高，常见的有90nm、65nm、45nm、32nm、22nm等等。
xxxnm意思：xxx纳米是指集成电路工艺光刻所能达到的最小线条宽度 ，一般指半导体器件的最小尺寸，如MOS管沟道长度。现在主流集成电路工艺是CMOS工艺。