『壹』 制做SIP的一般流程
根据国际半导体路线组织（ITRS）的定义：SiP为将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，形成一个系统或者子系统。
从架构上来讲，SiP是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。与SOC（片上系统）相对应。不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，而SOC则是高度集成的芯片产品。
(1)sip封装扩展阅读
SiP超越摩尔定律下的重要实现路径。众所周知的摩尔定律发展到现阶段，行业内有两条路径：一是继续按照摩尔定律往下发展，走这条路径的产品有CPU、内存、逻辑器件等，这些产品占整个市场的50%。
另外就是超越摩尔定律的More than Moore路线，芯片发展从一味追求功耗下降及性能提升方面，转向更加务实的满足市场的需求。这方面的产品包括了模拟/RF器件，无源器件、电源管理器件等，大约占到了剩下的那50%市场。
『贰』 电阻的封装dip，sip和smd分别代表什么意思
DIP是双列直插式封装技术
SIP是单列直插式封装技术
SMD是贴片封装技术
『叁』 封装SIP和SOIC有什么区别
一、立场区别
1、SIP：SIP是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件。
2、SOIC：SoIC是从设计的角度出发，是将系统所需的组件高度集成到一块芯片上。
二、定义不同
1、SIP：SIP封装（System In a Package系统级封装）是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。
2、SOIC：小外形集成电路封装，指外引线数不超过28条的小外形集成电路，一般有宽体和窄体两种封装形式。其中具有翼形短引线者称为SOL器件，具有J型短引线者称为SOJ器件。
三、使用标准不同
1、SIP：SiP集成了AP+mobile DDR，某种程度上说SIP=SoC+DDR，随着将来集成度越来越高，emmc也很有可能会集成到SiP中。
2、SOIC：SOIC实际上至少参考了两个不同的封装标准。EIAJ标准中SOIC大约为5.3mm宽，习惯上使用SOP；而JEDEC标准中SOIC8~16大约为3.8mm宽，SOIC16~24大约7.5mm宽，习惯上使用SOIC。
『肆』 有哪些知名的SiP封装方案商
长芯半导体，它们推出了一个开放的物联网SiP制造平台——M.D.E.Spackage，提供现有的、成熟的SiP系统方案和晶圆库。通过这个，你可以有两种方式定制自己的SiP芯片。
『伍』 HDR1封装与SIP封装一样吗
从外观上看，SIP和DIP是插件的，SIP是单排Pin脚，DIP是双排Pin脚，用AI机器或手工插件；而SOIC是双排引脚，SOIC分：SOP和SOJ，只是引脚外形不一样，都是贴装的，用SMT贴片机贴装。
单列直插式封装（SIP）引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。通常单列直插式封装(SIP)
，它们是通孔式的，管脚插入印刷电路板的金属孔内。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。这种形式的一种变化是锯齿型单列式封装(ZIP)，它的管脚仍是从封装体的一边伸出，但排列成锯齿型。这样，在一个给定的长度范围内，提高了管脚密度。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2至23，多数为定制产品。封装的形状各异。也有的把形状与ZIP相同的封装称为SIP。
DIP封装，是al inline-pin package的缩写，也叫双列直插式封装技术，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。指采用双列直插形式封装
的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。
SOIC（Small Outline Integrated Circuit Package），小外形集成电路封装，指外引线数不超过28条的小外形集成电路，一般有宽体和窄体两种封装形式。其中具有翼形短引线者称为SOL器件，具有J型短引线者称为SOJ器件。
『陆』 SIP封装什么意思
SIP(封装系统)是什么意思封装概述
半导体器件有许多封装型式，从DIP、SOP、QPF、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进，这些都是前人根据当时的组装技术和市场需求而研制的。
『柒』 sip封装和mems封装的区别
SIP（System In a Package系统级封装）是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。与SOC（System On a Chip系统级芯片）相对应。不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，而SOC则是高度集成的芯片产品。 有人将SIP定义为：将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，从而形成一个系统或者子系统。从封装发展的角度来看，SIP是SOC封装实现的基础。
『捌』 电子元器件行业中说的SIP是什么意思
单列直插式封装（SIP）引脚从封装一个侧面引出，排列成一条直线。通常，它们是通孔式的，管脚插入印刷电路板的金属孔内。当装配到印刷基板上时封装呈侧立状。这种形式的一种变化是锯齿型单列式封装(ZIP)，它的管脚仍是从封装体的一边伸出，但排列成锯齿型。这样，在一个给定的长度范围内，提高了管脚密度。引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从2至23，多数为定制产品。封装的形状各异。也有的把形状与ZIP相同的封装称为SIP。
SIP封装并无一定型态，就芯片的排列方式而言，SIP可为多芯片模块(Multi-chipMole；MCM)的平面式2D封装，也可再利用3D封装的结构，以有效缩减封装面积；而其内部接合技术可以是单纯的打线接合(WireBonding)，亦可使用覆晶接合(FlipChip)，但也可二者混用。除了2D与3D的封装结构外，另一种以多功能性基板整合组件的方式，也可纳入SIP的涵盖范围。此技术主要是将不同组件内藏于多功能基板中，亦可视为是SIP的概念，达到功能整合的目的。
不同的芯片排列方式，与不同的内部接合技术搭配，使SIP的封装型态产生多样化的组合，并可依照客户或产品的需求加以客制化或弹性生产。
构成SIP技术的要素是封装载体与组装工艺。前者包括PCB，LTCC，SiliconSubmount(其本身也可以是一块IC)。后者包括传统封装工艺(Wirebond和FlipChip)和SMT设备。无源器件是SIP的一个重要组成部分，其中一些可以与载体集成为一体(Embedded，MCM-D等)，另一些(精度高、Q值高、数值高的电感、电容等)通过SMT组装在载体上。SIP的主流封装形式是BGA。就目前的技术状况看，SIP本身没有特殊的工艺或材料。这并不是说具备传统先进封装技术就掌握了SIP技术。由于SIP的产业模式不再是单一的代工，模块划分和电路设计是另外的重要因素。模块划分是指从电子设备中分离出一块功能，既便于后续的整机集成又便于SIP封装。电路设计要考虑模块内部的细节、模块与外部的关系、信号的完整性(延迟、分布、噪声等)。随着模块复杂度的增加和工作频率(时钟频率或载波频率)的提高，系统设计的难度会不断增加，导致产品开发的多次反复和费用的上升，除设计经验外，系统性能的数值仿真必须参与设计过程。
『玖』 Sip封装技术是什么意思
SIP（System In a Package系统级封装）是将多种功能芯片，包括处理器、存储器等功能芯片集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的功能。与SOC（System On a Chip系统级芯片）相对应。不同的是系统级封装是采用不同芯片进行并排或叠加的封装方式，而SOC则是高度集成的芯片产品。
有人将SIP定义为：将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如MEMS或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件，从而形成一个系统或者子系统。从封装发展的角度来看，SIP是SOC封装实现的基础。
『拾』 简单介绍BGA封装和SIP封装！！！
CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，绝对尺寸也仅有32平方毫米，约为普通的BGA的1/3，仅仅相当于TSOP内存芯片面积的1/6。这样在相同体积下，内存条可以装入更多的芯片，从而增大单条容量。也就是说，与BGA封装相比，同等空间下CSP封装可以将存储容量提高三倍。 CSP封装内存不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了内存芯片在长时间运行后的可靠性，线路阻抗显著减小，芯片速度也随之得到大幅度的提高。 CSP封装的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当大的提高。在相同的芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显的要比TSOP、BGA引脚数多的多（TSOP最多304根，BGA以600根为限,CSP原则上可以制造1000根），这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。此外，CSP封装内存芯片的中心引脚形式有效的缩短了信号的传导距离，其衰减随之减少，芯片的抗干扰、抗噪性能也能得到大幅提升，这也使得CSP的存取时间比BGA改善15%－20%。 在CSP的封装方式中，内存颗粒是通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以内存芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去；而传统的TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB板传热就相对困难。 CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。测试结果显示，运用CSP封装的内存可使传导到PCB板上的热量高达88.4%，而TSOP内存中传导到PCB板上的热量能为71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的电功率消耗，致使芯片耗电量和工作温度相对降低。 目前内存颗粒厂在制造DDR333和DDR400内存的时候均采用0.175微米制造工艺，良品率比较低。而如果将制造工艺提升到0.15甚至0.13微米的话，良品率将大大提高。而要达到这种工艺水平，采用CSP封装方式则是不可避免的。因此CSP封装的高性能内存是大势所趋。