❶ 中科院正式宣布，已研发出5nm光刻技术，距离造成5nm芯片还要多久
制造5nm芯片还要多久，这个时间很难说，为什么？因为制造5nm芯片我国必须有自己的光刻机。这个机器非常难制造，记得美国用了近二十年的时间才在这方面占据领先位置。现在不同以往，我国追赶的话，要制造5nm芯片长则十年，短则三五年。
综合来看，5nm芯片没有三几年难以实现，不过如果集合很多很多的资源并且可以光刻机，或者国内某个公司创造奇迹，那么一两年的时间都有可能。
❷ 光刻技术是蚀刻还是雕刻
光刻技术常见是蚀刻，高温高压触点蚀刻。
❸ 光刻技术的基本步骤
1.气相成底模
2.旋转烘胶
3.软烘
4.对准和曝光
5.曝光后烘焙（PEB）
6.显影
7.坚膜烘焙
8.显影检查
❹ 都说要提高我国的光刻机技术，那这是一种怎样的技术呢
光刻机到底是个什么东西？这个东西简单来说它就是刻画芯片的一个东西，我们手机电脑包括汽车电视它里面都离不开芯片，只不过就是芯片的功能个位相同，但是你可以把芯片理解为一个人的大脑这个芯片的精度越高，拿这个大脑就越聪明。
所以我们需要更加高端的光刻机，现在我国有的应该是在14纳米左右这个光刻机不足以满足日常的使用，你现在所使用的天级1200，骁龙865，甚至说骁龙888，它基本都是5纳米6纳米7纳米这样一个程度的，所以我们还有很大的差距，我们还是要继续努力，而且也不能盲目自信，我们应该对国产的公司有信心，但是盲目的信心是不行的，未来5~10年之内我们能够赶上去，并且走到一个世界光刻机领域相当靠前的位置，这就算是发展不错的。
❺ 光刻技术的种类及介绍
你可以参看这些资料
http://ke..com/view/359979.htm?fr=ala0_1
http://ke..com/view/1117847.htm
❻ 纳米光刻技术和传统光刻技术的区别
区别大了。你所谓的纳米平板印刷技术是指纳米压印的一种，而纳米压印又算做是下一代光刻技术中的一种。
光刻，是一种图形转移的方法，是把设计好的图形转移到涂覆在衬底表面的光刻胶层上的方法。如果按照你说的纳米平板印刷术这个层次来分类，那么光刻的种类有几十种，就不一一叙述了，建议看专业书籍。
❼ 光刻机技术到底是谁发明的
光刻机技术是法国人NicephoreNiepce发明的。
在早期阶段其功能简单，而且使用的材料也是较为粗糙的，通过材料光照实验发现能够复制一种刻着在油纸上的印痕，而在其出现在玻璃片上后，经过一段时间的日晒，其透光部分的沥青就会变得很硬，但在不透光部分则可以用松香和植物油将其洗掉。
尽管光刻机发明的时间较早，不过在其发明之后，并没有在各行业领域之中被使用，直到第2次世界大战时，该技术应用于印刷电路板，所使用的材料和早期发明时使用的材料也已经有了极大区别。
在塑料板上通过铜线路制作，让电路板得以普及，短期之内就成为了众多电子设备领域中最为关键的材料之一。
光刻机性能指标：
光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。
分辨率是对光刻工艺加工可以达到的最细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。
对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。
曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。
曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有汞灯，准分子激光器等。
❽ 光刻曝光技术的主要流程及每个步骤的意义
光刻工艺主要步骤
1. 基片前处理
为确保光刻胶能和晶圆表面很好粘贴，形成平滑且结合得很好的膜，必须进行表面准备，保持表面干燥且干净，
2. 涂光刻胶
涂胶的目标是在晶圆表面建立薄的、均匀的，并且没有缺陷的光刻胶膜。
3. 前烘(软烘焙)
前烘的目的是去除胶层内的溶剂，提高光刻胶与衬底的粘附力及胶膜的机械擦伤能力。
4. 对准和曝光(A＆E)
保证器件和电路正常工作的决定性因素是图形的准确对准，以及光刻胶上精确的图形尺寸的形成。所以，涂好光刻胶后，第一步是把所需图形在晶圆表面上准确定位或对准。第二步是通过曝光将图形转移到光刻胶涂层上。
5. 显影
显影是指把掩膜版图案复制到光刻胶上。
6. 后烘(坚膜)
经显影以后的胶膜发生了软化、膨胀，胶膜与硅片表面粘附力下降。为了保证下一道刻蚀工序能顺利进行，使光刻胶和晶圆表面更好地粘结，必须继续蒸发溶剂以固化光刻胶。
7. 刻蚀
刻蚀是通过光刻胶暴露区域来去掉晶圆最表层的工艺，主要目标是将光刻掩膜版上的图案精确地转移到晶圆表面。
8. 去除光刻胶
刻蚀之后，图案成为晶圆最表层永久的一部分。作为刻蚀阻挡层的光刻胶层不再需要了，必须从表面去掉。
❾ 什么是光刻技术
光刻技术主要应用在微电子中。它一般是对半导体进行加工，需要一个有部分透光部分不透光的掩模板，通过曝光、显影、刻蚀等技术获得和掩模板一样的图形。先在处理过后的半导体上涂上光刻胶，然后盖上掩模板进行曝光；其中透光部分光刻胶的化学成分在曝光过程中发生了变化；之后进行显影，将发生化学变化的光刻胶腐蚀掉，裸露出半导体；之后对裸露出的半导体进行刻蚀，最后把光刻胶去掉就得到了想要的图形。光刻技术在微电子中占有很大的比重，比如微电子技术的进步是通过线宽来评价的，而线宽的获得跟光刻技术有很大的关系。
光刻技术就是在需要刻蚀的表面涂抹光刻胶，干燥后把图形底片覆盖其上，有光源照射，受光部分即可用药水洗掉胶膜，没有胶膜的部分即可用浓酸浓碱腐蚀表面。腐蚀好以后再洗掉其余的光刻胶。现在为了得到细微的光刻线条使用紫外线甚至X射线作为光源。
❿ 光刻技术的原理是什么
光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。
光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。