㈠ 手机处理器制作工艺中的FinFET和FCCSP分别是什么有什么区别
FinFET一般指鳍式场效应晶体管，楼主问的不是这个而是这种晶体管带来的革新化工艺制程特性。
FinFET闸长已可小于25nm，未来预期可以进一步缩小至7nm，约是人类头发宽度的1万分之1。由于在这种导体技术上的突破，未来芯片设计人员可望能够将超级计算机设计成只有指甲般大小。
FinFET源自于传统标准的晶体管—场效晶体管的一项创新设计。在传统晶体管结构中，控制电流通过的闸门，只能在闸门的一侧控制电路的接通与断开，属于平面的架构。在FinFET的架构中，闸门成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的闸长。一句话概括FinFET把封装工艺变成了三维的而不是二维的。这是一个巨大的变革。
所有大型晶圆代工厂都已宣布FinFET技术为其最先进的工艺。Intel在22 nm节点上采用该晶体管1，TSMC在其16 nm工艺上使用2，而Samsung和GlobalFoundries则将其用于14 nm工艺中。
因为专业讨论将涉及大篇幅 这里不再展开 需要了解的可以单聊。
FCCSP封装工艺指flip chip chip scale packaged 指代的倒装芯片封装到BGA或者PGA基板上，最早出现在Intel 奔三的CPU封装，优点：封装简单、封装与晶片尺寸相当、成本低、便携、芯片倒装焊减少传统引线的寄生电容，有利于提高频率、改善热特性。缺点：芯片裸露、还需要进行二次封装、二次布线设计复杂。用在手机芯片上比较贴切 缺点就不明显了
您说的这两种工艺是封装工艺的两种发展走向 前者从晶体管基本构成结构入手 后者只是晶圆的封装基础工艺。本身没有高下，性能根据华为宣称是一样的 无差别。
实际使用下来710、710F除了功耗略低性能近似等于骁龙660芯片。
㈡ 台积电16nm的finfet和ff+谁更省电
三星使用的14nm工艺，有着成熟的苹果A系处理器代工经验；而台积电使用的则是16nm，而且是第一次，理论上三星的版本会更有优势，但是实测结果，却恰恰相反。。
连续跑Geekbench测试当中，三星逐渐发热严重，越到后面成绩起伏越大，分值从最开始的稍稍胜出变成渐渐不如台积电，并且多次明显成绩下滑。温度比台积电要高5度左右达到40度。而台积电，成绩稳定，基本无起伏，温度也不到36度。
使用安兔兔，三星继续高热，台积电继续凉爽。温度差距在5度左右。中间三星出现一次闪退，每次都是台积电先跑完测试并且在分值上胜出。
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测试对象；
使用台积电16nm处理器的iPhone 6s Plus虽然屏幕更大，但只消耗了314毫安的电量。
2.使用三星14nm处理器的iPhone 6s，居然反而比iPhone 6s Plus多耗电70毫安，达到384毫安。
㈢ 什么是制程
在描述手机芯片性能的时候，消费者常听到的就是 22nm、14nm、10nm 这些数值，这是什么？
这是芯片市场上，一款芯片制程工艺的具体数值是手机性能关键的指标。制程工艺的每一次提升，带来的都是性能的增强和功耗的降低，而每一款旗舰手机的发布，常常与芯片性能的突破离不开关系。
骁龙 835 用上了更先进的 10nm 制程， 在集成了超过 30 亿个晶体管的情况下，体积比骁龙 820 还要小了 35%，整体功耗降低了 40%，性能却大涨 27%。
深入来说，这几十纳米怎么计算出来的？我们从芯片的组成单位晶体管说起。
得益于摩尔定律的预测，走到今天，比拇指还小的芯片里集成了上亿个晶体管。苹果 A10 Fusion 芯片上，用的是台积电 16nm 的制造工艺，集成了大约 33 亿个晶体管。电流从 Source（源极）流入 Drain（漏级），Gate（栅极）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。电流会损耗，而栅极的宽度则决定了电流通过时的损耗，表现出来就是手机常见的发热和功耗，宽度越窄，功耗越低。而栅极的最小宽度（栅长），就是 XX nm工艺中的数值。
对于芯片制造商而言，主要就要不断升级技术，力求栅极宽度越窄越好。不过当宽度逼近 20nm 时，栅极对电流控制能力急剧下降，会出现“电流泄露”问题。为了在 CPU 上集成更多的晶体管，二氧化硅绝缘层会变得更薄，容易导致电流泄漏。
一方面，电流泄露将直接增加芯片的功耗，为晶体管带来额外的发热量；另一方面，电流泄露导致电路错误，信号模糊。为了解决信号模糊问题，芯片又不得不提高核心电压，功耗增加，陷入死循环。
因而，漏电率如果不能降低，CPU 整体性能和功耗控制将十分不理想。这段时间台积电产能跟不上很大原因就是用上更高制程时遭遇了漏电问题。
还有一个难题，同样是目前 10nm 工艺芯片在量产遇到的。
当晶体管的尺寸缩小到一定程度（业内认为小于 10nm）时会产生量子效应，这时晶体管的特性将很难控制，芯片的生产难度就会成倍增长。骁龙 835 出货时间推迟，X30 遥遥无期主要原因可能是要攻克良品率的难关。
另外，骁龙 835 用上了 10nm 的制程工艺，设计制造成本相比 14nm 工艺增加接近 5 成。大厂需要持续而巨大的资金投入到 10nm 芯片量产的必经之路。
就目前阶段，三星已经尝试向当前的工艺路线图中添加 8nm 和 6nm 工艺技术，台积电方面则继续提供 16nm FinFET 技术的芯片，开始着力 10nm 工艺的同时，预计今年能够样产 7nm 工艺制程的芯片。
㈣ 在场效应管中fin是什么意思
FinFET称为鳍式场效应晶体管(Fin Field-Effect Transistor；FinFET),是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。Fin是鱼鳍的意思，FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。
㈤ FinFET制程工艺，相当于英特尔的多少纳米
目前技术来看，越小越好，英特尔第三代酷睿系列和至强系列则是22纳米，最小
㈥ 手机CPU工艺16nm FinFET Plus 和14nm LPP哪个好
台积电的16nmFF+制程更好一些。
关于制程直接看数字并不准确，因为这个数字本身不精确，楼主有兴趣可以搜索一下三星14nm的来历就知道水分了。
就实际产品来说，台积电16纳米FF+好于三星14纳米LPP，可以对比苹果A9处理器两家代工的版本的不同表现，台积电版本明显性能更高、待机时间更长、发热更低，后期苹果处理器A10、A11全部选择了在台积电代工，及NVIDIA 帕斯卡架构显卡三星代工版本，可超频频率明显不如台积电代工版本。
一般来说台积电同代制程的代工价格比三星高10-20%，这也是需要技术实力作为基础的，如果一个产品不行还卖的贵，会有人选择么。
附，半导体代工厂排名，台积电市占率55.9%，三星市占率为7.7%。
㈦ finfet 如何解决短沟道效应
1.覆盖一层非晶表面层(阻挡层)2.将晶圆偏离主晶向5°~10°3.以大剂量硅或锗注入，对晶圆表面预损伤可在晶圆表面产生一个随机层。
㈧ 海思和麒麟有啥区别求告知
海思和麒麟是同一类cpu，正确的描述是海思麒麟处理器。
A72、GPU这些实际上是并不是华为自主研发的，算不得创新。那么自主研发的ISP引擎可是一大亮点。其吞吐率性能提升四倍，高达960Mixel/s，支持双1300万像素传感器和最大3200万像素传感器，混合对焦技术。
㈨ 多少年了，终于明白了FinFET与FD-SOI制程
有的时候一直认为弄不懂的事情，
有一天，就可能会豁然开朗。
所以这件事提醒我们，
做任何事情都不要过度纠结，
过度纠结不是解决问题的办法，
眼界放开，也可能真的会看到另一片天地。