⑴ 中國的光刻機達到了世界先進水平，但為何生產高端晶元依然困難重重
018年12月，中微半導體設備（上海）有限公司自主研製的5納米等離子體刻蝕機經台積電驗證，性能優良，將用於全球首條5納米製程生產線。5納米，相當於頭發絲直徑（約為0.1毫米）的二萬分之一，將成為集成電路晶元上的最小線寬。台積電計劃2019年進行5納米製程試產，預計2020年量產。▲半導體器件工藝製程從14納米微縮到5納，等離子蝕刻步驟會增加三倍
刻蝕機是晶元製造的關鍵設備之一，曾一度是發達國家的出口管制產品。中微半導體聯合創始人倪圖強表示，中微與科林研發(Lam
Research)、應用材料(Applied Materials)、東京威力科創(Tokyo Electron
Limited）、日立全球先端科技 (Hitachi High-Technologies)
4家美日企業，組成了國際第一梯隊，為7納米晶元生產線供應刻蝕機。中微半導體如今通過台積電驗證的5納米刻蝕機，預計能獲得比7納米更大的市場份額。
中科院SP超分辨光刻機
提問者所說的中國光刻機達到世界先進水平，應該是指2018年11月29日通過驗收的，由中國科學院光電技術研究所主導、經過近七年艱苦攻關研製的「超分辨光刻裝備」項目。
該項目下研製的這台光刻機是「世界上首台分辨力最高的紫外(即22納米@365納米)超分辨光刻裝備」。這是一種表面等離子體（surfaceplasma，SP）超分辨光刻裝備。
▲中科院SP光刻機加工的樣品
然而，此次驗收合格的中科院光電技術研究所的這台表面等離子超衍射光刻機（SP光刻機）的加工精度與ASML的光刻機沒法比。沒法用於刻幾十納米級的晶元，至少以現在的技術不能。
據光電所專家稱，該所研製成功的這種SP光刻機用於晶元製造上還需要攻克一系列的技術難題，目前距離還很遙遠。也就是說中科院研製的這種光刻機不能（像一些網媒說的）用來光刻CPU。它的意義是用便宜光源實現較高的解析度，用於一些特殊製造場景，很經濟。
總之，中科院的22納米解析度光刻機跟ASML壟斷的光刻機不是一回事，說前者彎道超車，就好像說中國出了個競走名將要超越博爾特。
顯然，中科院研製成功的這台「超分辨光刻裝備」並不能說明我國在市場主流的的光刻機研製方面已經達到了世界先進水平，那麼現階段我國的光刻機的真實水平又是怎樣的呢？且看以下對比。
⑵ 中國的光刻機與刻蝕機已經達到世界先進水平，為什麼有些人還說中國晶元業依舊前路艱辛
據媒體報道，2018年12月，中微半導體設備（上海）有限公司自主研製的5納米等離子體刻蝕機經台積電驗證，性能優良，將用於全球首條5納米製程生產線。5納米，相當於頭發絲直徑（約為0.1毫米）的二萬分之一，將成為集成電路晶元上的最小線寬。台積電計劃2019年進行5納米製程試產，預計2020年量產。
中國的刻蝕機的確是達到了世界先進水平，光刻機還早，而且就算是這兩樣都世界先進了，不代表中國晶元業的前路就不艱辛了。目前中國的刻蝕機的確領先，5納米等離子體刻蝕機已經通過台積電驗證；但是光刻機就差多了，之前新聞報道中提到的「中科院SP超分辨光刻機」其實最多隻能算是一個「原型機」，和ASML的光刻機不能相提並論，也不能用來製造晶元，還需要攻克一系列的技術難題退一步講，就算是中國的光刻機與刻蝕機都達到世界領先就解決問題了么？ASML的EUV光刻機我們已經下單等待交貨了，是不是到貨以後中國就可以生產7nm甚至是5nm的晶元了不要把問題想簡單了，以為晶元也只有光刻機和刻蝕機。晶元製造的技術、經驗、工藝以及人才是一個系統性的工程，台積電也不是一天建成的，有了光刻機也不代表我們就能造出最頂尖的晶元。
⑶ 終於實錘，中芯禁運：影響有多大呢
中芯國際暴漲，也預示著我國半導體產業發展積極向好，不光是國內資金國外資金也對中國未來十分看好。芯國際在面對最大的困難時，不跌反而大漲，暗示資金對中芯國際的未來積極看好，同時也是看好我國半導體發展前景，資金都是逐利的，都是市場的預見性的反應。但近期我國最先進的晶元代工廠中芯國際和華為遭遇一樣的“待遇”的消息，引發業界廣泛關注。因中芯國際在設備和半導體材料上對美國技術有依賴，很多人擔心中芯國際的未來。
影響有多大？
這對我國企業來說，是困難同時也更是自我變得強大的機遇，去美化技術勢在必行，我國的態度是十分堅決和明確的，既然無法購買到關鍵的設備和材料，那麼中芯國際就會搞出真正去美化的生產線。再也不用像以前那樣擔心美國會挑事了，現在反而可以直接毫不避諱的去發展國產技術與設備替代了。
另外，對於中芯國際來說，短期影響也不會大，對於今天的情況也早有預見，已積極做好了准備。同時，中芯國際應該對國產供應鏈完全放開，尤其是以華為為首，積極建立國產化供應鏈，我國半導體產業也將加速！
⑷ 中國7nm技術成功了嗎
半導體行業本身是個高科技行業，半導體行業從上游到下游，依次又有材料和設備、晶元設計、晶元製造、晶元產品封測等行業。在晶元設計行業中，國內最具代表性的晶元設計廠商當是華為旗下的海思半導體莫屬。據IC Insights之前對外公布的數據，到2017年，海思半導體的營收就已經增長到47.2億美金，在該年中的研發投入也直逼10億美金。在晶元製造（晶圓代工）行業中，在中國大陸地區排名第一的本土廠商則是中芯國際。目前，中芯國際最為先進並已投入量產的工藝是28nm工藝。預計到了2019年，中芯國際有望投產14nm工藝。不可否認的是，在晶元設計和製造兩大行業中，本土廠商與國際廠商相比仍然有些差距。在材料與設備行業中，國內本土廠商仍須奮力追趕國際領先同行。不過，中微半導體倒是一個特例。
日前，國內有不少媒體紛紛在網路上轉發或分享了一段播放時長約5分鍾的視頻內容，該段視頻來自央視。2018年3月3日晚間，據央視紀錄片《大國重器》講述：位於上海的中微半導體，已經研發出了7nm刻蝕機，這標志著中國本土廠商自主研發的晶元製造設備終於與世界最先進水平保持同步了。目前，晶元製造行業最大的代工廠商台積電已經開發出可量產的7nm製程工藝，並在業界居於領先水平。而在7nm工藝設備方面，台積電有五大設備供應商，分別是應用材料、科林研發、東京威力科創、日立先端和中微半導體。換言之，中微半導體是唯一一家來自中國大陸的半導體設備廠商，且為台積電供應7nm刻蝕機台。顯然，中微半導體自主研製的設備是深受台積電認可的。
刻蝕機不同於光刻機。光刻機是激光將掩膜版上的電路臨時復制到硅晶圓片上，刻蝕機是按光刻機在矽片上刻好的電路結構，在矽片上進行微觀雕刻，以刻出溝槽或者接觸空。中微半導體研製的7nm刻蝕機台，所採用的是等離子體刻蝕技術，台積電等晶元製造廠商利用該設備，可以在矽片上雕刻出微觀電路。
中微半導體研發的7nm刻蝕機中，有著名為氣體噴淋盤的核心部件。另有媒體這樣報道：「氣體噴淋盤是刻蝕機最重要的核心部件之一，也是7納米晶元刻蝕機中的一項關鍵技術點。它的材料選擇和設計對於刻蝕機性能指標的影響至關重要。中微和國內廠家合作，研製和優化了一整套採用等離子體增強的物理氣象沉積金屬陶瓷的方法，這種創新的方法極大地改善了材料的性能，其晶粒更為精細、緻密，缺陷幾乎為零。相比國外當前採用的噴淋盤，中國的陶瓷鍍膜噴淋盤壽命可以延長一倍，造價卻不到五分之一。」
中國本土廠商能夠研製出可與世界最先進水平同步的刻蝕機，與中微半導體的創始人尹志堯，以及該公司的技術骨幹們是分不開的。尹志堯曾經在美國應用材料（半導體設備行業中的龍頭老大）擔任過副總裁，並參與領導了幾代刻蝕機的研發工作，在美國工作期間就持有了86項專利。十三年前，當時已經60歲的尹志堯決心放棄優越的物質待遇，離開美國並回國創業。有媒體直接引用過尹志堯說過的一句話：「給外國人做嫁衣已經做了很多事情了，那我們應該給自己的祖國和人民做一些貢獻，所以就決心回來了。」
當時，跟隨尹志堯一起，從美國回到中國的，還有大約三十位資深工程師，這些工程師曾經在應用材料、科林研發等半導體設備廠商中有過二、三十年的研發和製造經驗。尹志堯等人從美國回國之際，美方要求所有的技術專家都不得把美國公司的技術如設計圖紙、工藝過程等一並帶回國內，還對這些技術專家們所持有的600萬份文件和個人電腦做了徹底清查。
尹志堯及其團隊回到國內以後，於2004年在上海創立中微半導體，並從零開始研發和製造刻蝕機等設備。2008年，中微半導體的刻蝕機進入國際市場。然而應用材料和科林研發實在難以接受中微半導體能在短短3年左右的時間里研發出高端刻蝕機的事實，先後向中微半導體提起專利訴訟，最終這兩次曠日持久的專利訴訟都以中微半導體勝訴而告終。2015年，美國商業部下屬的工業安全局特別對外發布一則公告稱，由於中國本土廠商已能夠研製出具備國際競爭力的等離子刻蝕機，決定把等離子刻蝕機從美國對中國限制的技術設備名單上去除。到了今天，中微半導體的設備產品已經遠銷歐洲、韓國、新加坡、台灣等地，且在原材料方面同樣取得了局部性的突破。
最後，引用尹志堯在央視紀錄片中的說的話：「我國正在成為集成電路晶元和微觀器件生產的大國，到2020年，在我國新的晶元生產線上的投資將會超過美國、日本和韓國等地區的投資，中國會變成一個最大的晶元生產基地。我們相信到2030年，我國的晶元和微觀器件的加工能力和規模一定能完全趕上並在不少方面超過國際先進水平。」