㈠ 集成電路工藝主要分為哪幾類每一類中包括哪些主要工藝並簡述工藝的主要作用
工藝是指襯底制備，離子注入，擴散，外延，氧化，拋光，光刻這些步驟吧。
其實步驟蠻多的，我說我上課學到的部分，襯底制備就是對硅襯底進行一些改進，消除一些表面態，內部晶格的損傷什麼的；
離子注入和擴散就是在硅上面進行參雜，以提高導電率或者是讓他反型；
外延就是在表面上再生長一層東西，可以是其他半導體材料，金屬等各種東西為的是形成；氧化就是形成二氧化硅隔離層，或者是場氧化層；
拋光就是你在硅上面生長了東西或者是利用大馬士革工藝形成了各種溝道啊，導線啊什麼的，你要把突出來的地方利用物理或者化學的方法去掉，是表面平滑，一邊進行下一步；
光刻是最重要的一步，沒走一層就要用光刻來完成，光刻主要是完成離子注入，擴散等上面這些東西的。只有利用光刻才能把你想走的線路或者想要參雜的地方在硅表面呈現出來。。
最後給個鏈接吧http://wenku..com/view/46680ebff121dd36a32d8248.html這裡面更詳細。。
㈡ 集成電路工藝的工藝特點
單片集成電路和薄膜與厚膜集成電路這三種工藝方式各有特點，可以互相補充。通用電路和標准電路的數量大，可採用單片集成電路。需要量少的或是非標准電路，一般選用混合工藝方式，也就是採用標准化的單片集成電路，加上有源和無源元件的混合集成電路。厚膜、薄膜集成電路在某些應用中是互相交叉的。厚膜工藝所用工藝設備比較簡易，電路設計靈活，生產周期短，散熱良好，所以在高壓、大功率和無源元件公差要求不太苛刻的電路中使用較為廣泛。另外，由於厚膜電路在工藝製造上容易實現多層布線，在超出單片集成電路能力所及的較復雜的應用方面，可將大規模集成電路晶元組裝成超大規模集成電路，也可將單功能或多功能單片集成電路晶元組裝成多功能的部件甚至小的整機。
㈢ 集成電路工藝發展水平的最重要的指標是哪一個目前最高達到什麼水平
目前國際上最新工藝為7nm，我國已普及28nm，正在嘗試進軍14nm。
中國大陸集成電路製程工藝之所以落後於國際先進水平，除了技術基礎薄弱的歷史原因之外，主要是受到先進光刻機對華禁售禁運的影響。
不過，隨著大陸光刻技術的進步，國際技術封鎖正在逐漸被打破。相信不久的未來，大陸自主集成電路製造水平趕上甚至超越國際水平會成為現實。
㈣ 集成電路工藝的薄膜工藝
薄膜集成電路工藝
整個電路的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件及其間的互連線,全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發工藝、濺射工藝和電鍍等工藝重疊構成。用這種工藝製成的集成電路稱薄膜集成電路。
薄膜集成電路中的晶體管採用薄膜工藝製作, 它的材料結構有兩種形式：①薄膜場效應硫化鎘和硒化鎘晶體管，還可採用碲、銦、砷、氧化鎳等材料製作晶體管；②薄膜熱電子放大器。薄膜晶體管的可靠性差，無法與硅平面工藝製作的晶體管相比，因而完全由薄膜構成的電路尚無普遍的實用價值。
實際應用的薄膜集成電路均採用混合工藝，也就是用薄膜技術在玻璃、微晶玻璃、鍍釉或拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無源元件和電路元件間的互連線，再將集成電路、晶體管、二極體等有源器件的晶元和不便用薄膜工藝製作的功率電阻、大電容值的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點倒裝焊接等方式組裝成一塊完整電路。
㈤ 集成電路工藝的工藝發展
單片集成電路除向更高集成度發展外，也正在向著大功率、線性、高頻電路和模擬電路方面發展。不過,在微波集成電路、較大功率集成電路方面，薄膜、厚膜混合集成電路還具有優越性。在具體的選用上，往往將各類單片集成電路和厚膜、薄膜集成工藝結合在一起，特別如精密電阻網路和阻容網路基片粘貼於由厚膜電阻和導帶組裝成的基片上，裝成一個復雜的完整的電路。必要時甚至可配接上個別超小型元件，組成部件或整機。
㈥ 集成電路工藝主要分為哪幾類
集成電路工藝主要分為半導體集成電路、膜集成電路和混合集成電路3類。
半導體集成電路是採用半導體工藝技術，在硅基片上製作包括電阻、電容、三極體、二極體等元器件的集成電路；膜集成電路是在玻璃或陶瓷片等絕緣物體上，以「膜」的形式製作電阻、電容等無源元件的集成電路。
無源元件的數值范圍可以做得很寬，精度可以做得很高。技術水平尚無法用「膜」的形式製作晶體二極體、三極體等有源器件，因而膜集成電路的應用范圍受到很大的限制。在實際應用中，多半是在無源膜電路上外加半導體集成電路或分立元件的二極體、三極體等有源器件，使之構成一個整體，這就是混合集成電路。
根據膜的厚薄不同，膜集成電路又分為厚膜集成電路（膜厚為1～10μm）和薄膜集成電路（膜厚為1μm以下）兩種。在家電維修和一般性電子製作過程中遇到的主要是半導體集成電路、厚膜電路及少量的混合集成電路。
(6)集成電路工藝擴展閱讀：
1、按用途分類
集成電路按用途可分為電視機用集成電路、音響用集成電路、影碟機用集成電路、錄像機用集成電路、電腦（微機）用集成電路、電子琴用集成電路、通信用集成電路、照相機用集成電路、遙控集成電路、語言集成電路、報警器用集成電路及各種專用集成電路。
2、按應用領域分類
集成電路按應用領域可分為標准通用集成電路和專用集成電路。
3、按外形分類
集成電路按外形可分為圓形（金屬外殼晶體管封裝型，一般適合用於大功率）、扁平型（穩定性好，體積小）和雙列直插型。
㈦ 什麼是28nm集成電路工藝
28nm集成電路工藝：它指的是晶體管門電路的尺寸，現階段主要以納米（nm）為單位，製造工藝的提高，意味著顯示晶元的體積將更小、集成度更高，可以容納更多的晶體管和中央處理器一樣，顯示卡的核心晶元，也是在硅晶片上製成的。
CPU製作工藝指的是在生產CPU過程中，現在其生產的精度以納米來表示，精度越高，生產工藝越先進。在同樣的材料中可以容納更多的電子元件，連接線也越細，有利於提高CPU的集成度。
(7)集成電路工藝擴展閱讀：
製造工藝詳解：
1、硅提純
生產CPU與GPU等晶元的材料是半導體，現階段主要的材料是硅Si，這是一種非金屬元素，從化學的角度來看，由於它處於元素周期表中金屬元素區與非金屬元素區的交界處，所以具有半導體的性質，適合於製造各種微小的晶體管，是目前最適宜於製造現代大規模集成電路的材料之一。
在硅提純的過程中，原材料硅將被熔化，並放進一個巨大的石英熔爐。這時向熔爐里放入一顆晶種，以便硅晶體圍著這顆晶種生長，直到形成一個幾近完美的單晶硅。以往的硅錠的直徑大都是200毫米，而CPU或GPU廠商正在增加300毫米晶圓的生產。
2、切割晶圓
硅錠造出來了，並被整型成一個完美的圓柱體，接下來將被切割成片狀，稱為晶圓。晶圓才被真正用於CPU與GPU的製造。所謂的「切割晶圓」也就是用機器從單晶硅棒上切割下一片事先確定規格的硅晶片，並將其劃分成多個細小的區域，每個區域都將成為一個處理器的內核。
3、影印
在經過熱處理得到的硅氧化物層上面塗敷一種光阻物質，紫外線通過印製著處理器復雜電路結構圖樣的模板照射硅基片，被紫外線照射的地方光阻物質溶解。而為了避免讓不需要被曝光的區域不受到光的干擾，必須製作遮罩來遮蔽這些區域。
4、蝕刻
這是CPU與GPU生產過程中重要操作，也是處理器工業中的重頭技術。蝕刻技術把對光的應用推向了極限。蝕刻使用的是波長很短的紫外光並配合很大的鏡頭。短波長的光將透過這些石英遮罩的孔照在光敏抗蝕膜上，使之曝光。
然後，曝光的硅將被原子轟擊，使得暴露的硅基片局部摻雜，從而改變這些區域的導電狀態，以製造出N井或P井，結合上面製造的基片，處理器的門電路就完成了。
㈧ 集成電路工藝中的TTL和CMOS分別是什麼全拼是什麼
TTL：Transistor-Transistor Logic，晶體管-晶體管邏輯
CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconctor，互補金屬氧化物半導體
㈨ 集成電路的前段工藝
如果你把元器件級聯當成後工藝的話，那麼前工藝的確就是元器件的製造。包括電阻 、電容、晶體管等。主要工藝流程就是氧化、離子注入、光刻、汽相淀積、熱處理等相關工藝流程。具體查看相關工藝資料。
㈩ 什麼叫集成電路工藝節點
集成電路的工藝節點（integrated circuit technique）：
泛指在集成電路加工過程中的「特徵尺寸」，這個尺寸越小，表示工藝水平越高，常見的有90nm、65nm、45nm、32nm、22nm等等。
xxxnm意思：xxx納米是指集成電路工藝光刻所能達到的最小線條寬度 ，一般指半導體器件的最小尺寸，如MOS管溝道長度。現在主流集成電路工藝是CMOS工藝。