⑴ 什麼是PowerGEM
賽普拉斯半導體公司的子公司AgigA技術公司推出一個無需電池的智能供電子系統，用於電力中斷時防止重要數據丟失。PowerGEM(綠色能源模塊)供電子系統採用超大電容，在系統供電中斷時提供臨時能量。PowerGEM模塊可以使設計者避免出現由電池供電產生的問題，諸如環境影響、設計復雜性提高、維護和相應的條件、使用壽命短、整體擁有成本較高等等。PowerGEM與AGIGARAM存儲模塊配套使用，可以為重要任務的數據備份提供一套完整的安全可靠的非易失性存儲子系統。
⑵ ISBU是什麼意思
安森美半導體(ON Semiconctor，美國納斯達克上市代號：ONNN)已完成向賽普拉斯半導體以全現金交易收購CMOS圖像感測器業務部(ISBU)
⑶ 讓國內如此瘋狂的 3D NAND快閃記憶體到底是個啥
什麼是3D NAND快閃記憶體？
從新聞到評測，我們對3D NAND快閃記憶體的報道已經非常多了，首先我們要搞懂什麼是3D NAND快閃記憶體。
從2D NAND到3D NAND就像平房到高樓大廈
我們之前見過的快閃記憶體多屬於Planar NAND平面快閃記憶體，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 快閃記憶體，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那麼3D NAND就是高樓大廈，建築面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
3D NAND與2D NAND區別
3D NAND快閃記憶體也不再是簡單的平面內存堆棧，這只是其中的一種，還有VC垂直通道、VG垂直柵極等兩種結構。
3D NAND快閃記憶體有什麼優勢？
在回答3D NAND快閃記憶體有什麼優勢的時候，我們先要了解平面NAND遇到什麼問題了——NAND快閃記憶體不僅有SLC、MLC和TLC類型之分，為了進一步提高容量、降低成本，NAND的製程工藝也在不斷進步，從早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm，但NAND快閃記憶體跟處理器不一樣，先進工藝雖然帶來了更大的容量，但NAND快閃記憶體的製程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時可靠性及性能都在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要採取額外的手段來彌補，但這又會提高成本，以致於達到某個點之後製程工藝已經無法帶來優勢了。
相比之下，3D NAND解決問題的思路就不一樣了，為了提高NAND的容量、降低成本，廠商不需要費勁心思去提高製程工藝了，轉而堆疊更多的層數就可以了，這樣一來3D NAND快閃記憶體的容量、性能、可靠性都有了保證了，比如東芝的15nm NAND容量密度為1.28Gb/mm2，而三星32層堆棧的3D NAND可以輕松達到1.87Gb/mm2，48層堆棧的則可以達到2.8Gb/mm2。
3D NAND快閃記憶體在容量、速度、能效及可靠性上都有優勢
傳統的平面NAND快閃記憶體現在還談不上末路，主流工藝是15/16nm，但10/9nm節點很可能是平面NAND最後的機會了，而3D NAND快閃記憶體還會繼續走下去，目前的堆棧層數不過32-48層，廠商們還在研發64層甚至更高層數的堆棧技術。
四大NAND豪門的3D NAND快閃記憶體及特色
在主要的NAND廠商中，三星最早量產了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND快閃記憶體量產上要落後三星至少2年時間，Intel、美光去年才推出3D NAND快閃記憶體，Intel本月初才發布了首款3D NAND快閃記憶體的SSD，不過主要是面向企業級市場的。
這四大豪門的3D NAND快閃記憶體所用的技術不同，堆棧的層數也不一樣，而Intel在常規3D NAND快閃記憶體之外還開發了新型的3D XPoint快閃記憶體，它跟目前的3D快閃記憶體有很大不同，屬於殺手鐧級產品，值得關注。
四大NAND豪門的3D NAND快閃記憶體規格及特色
上述3D NAND快閃記憶體中，由於廠商不一定公布很多技術細節，特別是很少提及具體的製程工藝，除了三星之外其他廠商的3D NAND快閃記憶體現在才開始推向市場，代表性產品也不足。
三星：最早量產的V-NAND快閃記憶體
三星是NAND快閃記憶體市場最強大的廠商，在3D NAND快閃記憶體上也是一路領先，他們最早在2013年就開始量產3D NAND快閃記憶體了。在3D NAND路線上，三星也研究過多種方案，最終量產的是VG垂直柵極結構的V-NAND快閃記憶體，目前已經發展了三代V-NAND技術，堆棧層數從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
三星最早量產了3D NAND快閃記憶體
值得一提的是，三星在3D NAND快閃記憶體上領先不光是技術、資金的優勢，他們首先選擇了CTF電荷擷取快閃記憶體（charge trap flash，簡稱CTF）路線，相比傳統的FG（Floating Gate，浮柵極）技術難度要小一些，這多少也幫助三星佔了時間優勢。
有關V-NAND快閃記憶體的詳細技術介紹可以參考之前的文章：NAND新時代起點，三星V-NAND技術詳解
東芝/閃迪：獨辟蹊徑的BiCS技術
東芝是快閃記憶體技術的發明人，雖然現在的份額和產能被三星超越，不過東芝在NAND及技術領域依然非常強大，很早就投入3D NAND研發了，2007年他們獨辟蹊徑推出了BiCS技術的3D NAND——之前我們也提到了，2D NAND快閃記憶體簡單堆棧是可以作出3D NAND快閃記憶體的，但製造工藝復雜，要求很高，而東芝的BiCS快閃記憶體是Bit Cost Scaling，強調的就是隨NAND規模而降低成本，號稱在所有3D NAND快閃記憶體中BiCS技術的快閃記憶體核心面積最低，也意味著成本更低。
東芝的BiCS技術3D NAND
東芝和閃迪是戰略合作夥伴，雙方在NAND領域是共享技術的，他們的BiCS快閃記憶體去年開始量產，目前的堆棧層數是48層，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達256Gb，預計會在日本四日市的Fab 2工廠規模量產，2016年可以大量出貨了。
SK Hynix：悶聲發財的3D NAND
在這幾家NAND廠商中，SK Hynix的3D NAND最為低調，相關報道很少，以致於找不到多少SK Hynix的3D NAND快閃記憶體資料，不過從官網公布的信息來看，SK Hynix的3D NAND快閃記憶體已經發展了3代了，2014年Q4推出的第一代，2015年Q3季度推出的第二代，去年Q4推出的則是第三代3D NAND快閃記憶體，只不過前面三代產品主要面向eMCC 5.0/5.1、UFS 2.0等移動市場，今年推出的第四代3D NAND快閃記憶體則會針對UFS 2.1、SATA及PCI-E產品市場。
SK Hynix的3D NAND快閃記憶體堆棧層數從36層起步，不過真正量產的是48層堆棧的3D NAND快閃記憶體，MLC類型的容量128Gb，TLC類型的也可以做到256Gb容量。
Intel/美光：容量最高的3D NAND快閃記憶體
這幾家廠商中，Intel、美光的3D NAND快閃記憶體來的最晚，去年才算正式亮相，不過好菜不怕晚，雖然進度上落後了點，但IMFT的3D NAND有很多獨特之處，首先是他們的3D NAND第一款採用FG浮柵極技術量產的，所以在成本及容量上更有優勢，其MLC類型快閃記憶體核心容量就有256Gb，而TLC快閃記憶體則可以做到384Gb，是目前TLC類型3D NAND快閃記憶體中容量最大的。
美光、Intel的3D NAND容量密度是最高的
384Gb容量還不終點，今年的ISSCC大會上美光還公布了容量高達768Gb的3D NAND快閃記憶體論文，雖然短時間可能不會量產，但已經給人帶來了希望。
Intel的殺手鐧：3D XPoint快閃記憶體
IMFT在3D NAND快閃記憶體上進展緩慢已經引起了Intel的不滿，雖然雙方表面上還很和諧，但不論是16nm快閃記憶體還是3D快閃記憶體，Intel跟美光似乎都有分歧，最明顯的例子就是Intel都開始採納友商的快閃記憶體供應了，最近發布的540s系列硬碟就用了SK Hynix的16nm TLC快閃記憶體，沒有用IMFT的。
Intel、美光不合的證據還有最明顯的例子——那就是Intel甩開美光在中國大連投資55億升級晶圓廠，准備量產新一代快閃記憶體，很可能就是3D XPoint快閃記憶體，這可是Intel的殺手鐧。
3D XPoint快閃記憶體是Intel掌控未來NAND市場的殺手鐧
這個3D XPoint快閃記憶體我們之前也報道過很多了，根據Intel官方說法，3D XPoint快閃記憶體各方面都超越了目前的內存及快閃記憶體，性能是普通顯存的1000倍，可靠性也是普通快閃記憶體的1000倍，容量密度是內存的10倍，而且是非易失性的，斷電也不會損失數據。
由於還沒有上市，而且Intel對3D XPoint快閃記憶體口風很嚴，所以我們無法確定3D XPpoint快閃記憶體背後到底是什麼，不過比較靠譜的說法是基於PCM相變存儲技術，Intel本來就是做存儲技術起家的，雖然現在的主業是處理器，但存儲技術從來沒放鬆，在PCM相變技術上也研究了20多年了，現在率先取得突破也不是沒可能。
相比目前的3D NAND快閃記憶體，3D XPoint快閃記憶體有可能革掉NAND及DRAM內存的命，因為它同時具備這兩方面的優勢，所以除了做各種規格的SSD硬碟之外，Intel還准備推出DIMM插槽的3D XPoint硬碟，現在還不能取代DDR內存，但未來一切皆有可能。
最後再回到我們開頭提到的問題上——中國大陸現在也把存儲晶元作為重點來抓，武漢新芯科技（XMC）已經在武漢開工建設12英寸晶圓廠，第一個目標就是NAND快閃記憶體，而且是直接切入3D NAND快閃記憶體，他們的3D NAND技術來源於飛索半導體（Spansion），而後者又是1993年AMD和富士通把雙方的NOR快閃記憶體部門合並而來，後來他們又被賽普拉斯半導體以40億美元的價格收購。
2015年新芯科技與飛索半導體達成了合作協議，雙方合作研發、生產3D NAND快閃記憶體，主要以後者的MirrorBit快閃記憶體技術為基礎。不過小編搜遍了網路也沒找到多少有關MirrorBit的技術資料。這兩家公司的快閃記憶體技術多是NOR領域的，3D NAND顯然是比不過三星、SK Hynix及東芝等公司的，有一種說法是MirrorBit的堆棧層數只有8層，如果真是這樣，相比主流的32-48層堆棧就差很遠了，成本上不會有什麼優勢。
⑷ 賽普拉斯半導體技術(上海)有限公司成都分公司怎麼樣
賽普拉斯半導體技術(上海)有限公司成都分公司是2016-05-27注冊成立的分公司(外商投資企業)，注冊地址位於四川省中國(四川)自由貿易試驗區成都高新區天府三街288號1號樓14層1、2、3、10、11號。
賽普拉斯半導體技術(上海)有限公司成都分公司的統一社會信用代碼/注冊號是91510100MA61UYPN2J，企業法人邱禕捷，目前企業處於開業狀態。
賽普拉斯半導體技術(上海)有限公司成都分公司的經營范圍是：集成電路和半導體產品的設計、研究、開發；自行研發成果的技術轉讓；並提供相關產品的咨詢、技術服務和貿易咨詢。（依法須經批準的項目，經相關部門批准後方可開展經營活動）。
通過愛企查查看賽普拉斯半導體技術(上海)有限公司成都分公司更多信息和資訊。
⑸ 為什麼說新能源汽車的核心是IGBT
IGBT約占電機驅動系統成本的一半，而電機驅動系統占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。不僅電機驅動要用IGBT，新能源的發電機和空調部分一般也需要IGBT。 不僅是新能源車，直流充電樁和機車(高鐵)的核心也是IGBT管，直流充電樁30%的原材料成本就是IGBT。電力機車一般需要 500 個IGBT 模塊，動車組需要超過100個IGBT模塊，一節地鐵需要50-80個 IGBT 模塊。三菱電機的HVIGBT已經成為業內默認的標准，中國的高速機車用IGBT由三菱完全壟斷，同時歐洲的阿爾斯通、西門子、龐巴迪也是一半以上採用三菱電機的IGBT。
一個IGBT管芯稱為模塊的一個單元，也稱為模塊單元、模塊的管芯。模塊單元與IGBT管芯的區別在最終產品，模塊單元沒有獨立的封裝，而管芯都有獨立的封裝，成為一個IGBT管。近來還有一種叫IPM的模塊，把門級驅動和保護電路也封裝進IGBT模塊內部，這是給那些最懶的工程師用的，不過工作頻率自然不能太高咯。單管的價格要遠低於模塊，但是單管的可靠性遠不及模塊。全球除特斯拉和那些低速電動車外，全部都是使用模塊，只有特斯拉對成本的重視程度遠高於對人命的重視程度。特斯拉Model X使用132個IGBT管，由英飛凌提供，其中後電機為96個，前電機為36個，每個單管的價格大約4-5美元，合計大約650美元。如果改用模塊的話，估計需要12-16個模塊，成本大約1200-1600美元。特斯拉使用單管的原因主要是成本，尤其是其功率比一般的電動車要大不少，加上設計開發周期短，不得不採用單管設計。相比寶馬I3，採用英飛凌新型HybridPACK 2模塊設計，每個模塊內含6個單管型IGBT，750V/660A，電流超大，只需要兩個模塊即可，體積大大縮小，成本大約300美元。
⑹ pmic是什麼意思
PMIC（Power Management IC）又稱電源管理IC，是一種特定用途的集成電路，其功能是為主系統作管理電源等工作。
PMIC常用於以電池作為電源的裝置，例如行動電話或攜帶型媒體播放器。由於這類裝置一般有多於一個電源(例如電池及USB電源)，系統又需要多個不同電壓的電源，加上要控制電池的充放電，以傳統方式滿足這樣的需求會佔用不少空間，同時增加產品開發時間，因此造就了PMIC的出現。
功能
PMIC的主要功用為控制電量流量及流向以配合主系統需要。在多個電源(例如，外部真流電源、電池、USB電源等)，選取、分配電力給主系統各部分使用，例如提供多個不同電壓的電源，並負責為內部電池充電。
通過將這些功能集成到一個IC中，可以對整體設計進行許多改進，例如更好的轉換效率，更小的解決方案尺寸和更好的散熱。
(6)賽普拉斯半導體股票行情擴展閱讀：
集成電路製造商
三星半導體，理光電子設備，電源集成，意法半導體，英飛凌技術股份公司，英特爾，馬維爾半導體，高通，聯發科，IXYS，飛思卡爾半導體，Dialog Semiconctor，Silicon Mitus，Exar，國際整流器；
Intersil，賽普拉斯半導體，Maxim集成產品，線性技術，瑞薩電子，羅姆半導體，安森美半導體，德州儀器，特瑞仕半導體，和日本旭化成微器件是一些很多廠家的PMIC的。
⑺ 國際零部件企業2019年財報解讀：危機並行，行業加速整合
經濟萎靡、車市下行，這場寒冬依舊。受此波及，自進入2019年下半年開始，眾多零部件企業不得不下調各自銷售預期，紛紛尋找新的出路，一時間，業務轉型、組織調整、關廠裁員、抱團取暖等措施屢見不鮮。近日，已有不少國際零部件企業公布了最新財報信息，蓋世汽整理了其中部分企業的財報狀況，來看一看這些企業在過去一整年中，都有哪些收獲。
車市嚴寒，頭部企業也難言輕松
圖為：英飛凌財報截圖
英飛凌方面，據其在2月5日所發布的最新季度財報中顯示，2020財年第一季度（2019年10月-12月）收入同比下降2.7%，至19.16億歐元（約合20.9億美元），凈收入為2.1億歐元（約合2.3億美元）。其中，由於全球汽車消費需求的下降，汽車（ATV）收入同比下降2%，至8.3億歐元（約合9億美元）。
在大環境增速疲軟，兩者無論是從半導體領域還是汽車晶元領域，其業績表現均高於市場整體表現，而這也意味著行業正由自由競爭逐漸趨向寡頭競爭，大部分的利潤掌握在個別頭部企業手中，行業將加速整合。
據蓋世汽車了解，2019年，於半導體晶元領域而言最大的新聞莫過於英飛凌科技股份公司（以下簡稱：英飛凌）以每股23.85美元收購了賽普拉斯半導體公司，藉此，英飛凌或超過恩智浦躍居全球汽車晶元領域第一位。
但值得注意的是，就在英飛凌並購賽普拉斯的前幾日，恩智浦以1.76億美元收購了Marvell的WiFi連接業務，並基於此推出了新產品和解決方案，據恩智浦首席執行官RichardClemmer介紹，「隨著這類新產品的批量生產，我們預計將助力恩智浦實現長期增長」。
汽車晶元領域競爭日趨白熱化，誰也無法預測此後恩智浦、英飛凌之間孰強孰弱，唯有不斷進階，不斷擴展新業務、新領域，或才能在大環境日趨向下時贏得更廣闊的未來。
蓋世小結：日子難熬，在車市寒冬持續了十餘月後，早已成為汽車圈上下的共識。且在各企業的財報預期中均表示，2020年甚至於未來3-5年內，全球汽車產量都可能難有起色，目前發生在中國的肺炎疫情，正快速波及全球汽車供應鏈，或進一步加速汽車行業的整合。可正所謂，危機並行，2020年的開局不利，或刺激更多企業求新求變，以加速推動企業轉型，拓寬企業業務范圍，從而在未來市場競爭中贏的更大席面。
本文來源於汽車之家車家號作者，不代表汽車之家的觀點立場。